動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2026-04-20 18:03

  臺(tái)階儀在有機(jī)薄膜晶體管應(yīng)用：60 nm有源層等效厚度精確測(cè)量全流程

  

  有機(jī)薄膜晶體管因其低成本、柔性化制備潛力而在光電探測(cè)領(lǐng)域備受關(guān)注，然而有機(jī)薄膜的厚度精準(zhǔn)控制與微觀結(jié)構(gòu)表征始終是制約器件性能優(yōu)化的關(guān)鍵難題。Flexfilm費(fèi)曼儀器探針式臺(tái)階儀可以實(shí)現(xiàn)表面微觀特征的精準(zhǔn)表征與關(guān)鍵參數(shù)的定量測(cè)量，精確測(cè)定樣品的表面臺(tái)階高度與膜厚，為材料質(zhì)量把控和生產(chǎn)效率提升提供數(shù)據(jù)支撐。本研究以光敏有機(jī)半導(dǎo)體材料酞菁鐵（FePc）為有源層，采

  儀器 晶體管 測(cè)量

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• 發(fā)布了文章 2026-04-17 18:03

  基于均勻樣品的薄膜厚度測(cè)量：橢偏儀vs.反射儀

  

  本研究利用高質(zhì)量二氧化硅（SiO?）和氧化鋁（Al?O?）薄膜（硅襯底）對(duì)光譜橢偏儀和反射儀進(jìn)行了系統(tǒng)比較。通過(guò)詳細(xì)的不確定度分析，發(fā)現(xiàn)兩種方法在10nm至2000nm的膜厚范圍內(nèi)結(jié)果高度一致，偏差均在測(cè)量不確定度之內(nèi)。橢偏儀在較薄薄膜上不確定度更低，而反射儀在較厚薄膜上更具優(yōu)勢(shì)。這項(xiàng)工作強(qiáng)調(diào)了嚴(yán)格的厚度表征和不確定度評(píng)估對(duì)薄膜計(jì)量學(xué)的重要性。Flexfil

  儀器 測(cè)量

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• 發(fā)布了文章 2026-04-15 18:04

  磁控濺射工藝時(shí)間對(duì)金屬及氧化物靶材濺射速率的影響：基于臺(tái)階儀的薄膜厚度表征

  

  磁控濺射是物理氣相沉積（PVD）領(lǐng)域的主流技術(shù)之一，具有沉積溫度低、速率快、多靶共沉積靈活等優(yōu)勢(shì)，被廣泛應(yīng)用于金屬、半導(dǎo)體及絕緣體薄膜的制備。實(shí)際工程中，由于不同材料濺射原子的角分布差異懸殊，晶振片監(jiān)測(cè)往往誤差較大，工程師們通常采用"以工藝時(shí)間換算薄膜厚度"的方法：在短時(shí)間內(nèi)濺射沉積一定厚度的薄膜，經(jīng)臺(tái)階儀測(cè)量折算出沉積速率，再按比例推算目標(biāo)厚度所需的濺射時(shí)

  儀器 半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2026-04-13 18:04

  「納米光柵無(wú)損檢測(cè)」告別破壞性表征，光譜橢偏儀實(shí)現(xiàn)99.97%精度無(wú)損測(cè)量

  

  隨著半導(dǎo)體技術(shù)的持續(xù)演進(jìn)，器件特征尺寸不斷縮減，而量產(chǎn)化的工藝需求卻日益提高，納米壓印技術(shù)因此應(yīng)運(yùn)而生。納米壓印（NIL）的基本原理是將模具上的圖形直接轉(zhuǎn)移至襯底，從而實(shí)現(xiàn)批量化復(fù)制。與傳統(tǒng)光刻工藝相比，納米壓印還具有工藝簡(jiǎn)單、分辨率高、生產(chǎn)效率高、成本低等顯著優(yōu)勢(shì)，已成為半導(dǎo)體加工工藝中最重要的技術(shù)路線之一。在納米壓印工藝過(guò)程中，模板和器件的關(guān)鍵尺寸（CD

  儀器 光譜 測(cè)量

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• 發(fā)布了文章 2026-04-10 18:04

  磁控濺射SiO?薄膜工藝優(yōu)化：臺(tái)階儀在膜厚與粗糙度表征中的應(yīng)用

  

  氧化硅（SiO?）薄膜作為典型的功能薄膜材料，具有優(yōu)良的光學(xué)、電學(xué)及機(jī)械性能，在液晶顯示、太陽(yáng)能電池、建筑玻璃及汽車玻璃等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。其低折射率和高透光特性，使其在光學(xué)減反射膜和表面保護(hù)層中具有重要作用。在太陽(yáng)能電池中，氧化硅薄膜不僅可作為隔離層抑制載流子復(fù)合，還可作為抗反射層提升光吸收效率，從而改善器件整體性能與穩(wěn)定性。隨著高性能薄膜需求的不斷提升，

  儀器 材料 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2026-04-08 18:05

  橢偏儀薄膜測(cè)試解決方案：半導(dǎo)體、聚合物與生物傳感的高精度表征

  

  近年來(lái)，隨著材料科學(xué)的快速發(fā)展，薄膜制備技術(shù)及表界面研究逐漸成為研究熱點(diǎn)。納米加工技術(shù)的不斷成熟，使得器件性能要求持續(xù)提高，相應(yīng)地，各類微納表征技術(shù)也得到了快速發(fā)展。SEM、AFM及TEM等方法雖具備高空間分辨率與良好的可視化能力，但普遍存在對(duì)樣品造成不可逆損傷的問題，且難以實(shí)現(xiàn)原位檢測(cè)。相比之下，橢圓偏振光譜（SpectroscopicEllipsomet

  半導(dǎo)體 測(cè)試 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2026-04-03 18:01

  臺(tái)階儀在薄膜晶體管的應(yīng)用 | 精準(zhǔn)表征有源層厚度均勻性

  

  在薄膜晶體管（TFT）的研發(fā)與性能優(yōu)化中，有源層（即半導(dǎo)體溝道層）的厚度是決定器件電學(xué)特性（如閾值電壓、開關(guān)比、遷移率）的核心參數(shù)之一。本文聚焦于互補(bǔ)型薄膜晶體管（CTFT）的工藝優(yōu)化，系統(tǒng)探究了P型SnO、Te及N型SnO?薄膜的厚度對(duì)最終器件性能的影響。為確保實(shí)驗(yàn)結(jié)論的可靠性，精確控制并驗(yàn)證薄膜的實(shí)際沉積厚度成為前提條件。本研究采用Flexfilm費(fèi)曼儀

  儀器 晶體管 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2026-04-01 18:05

  光譜橢偏法對(duì)大面積室溫直流濺射AZO薄膜均勻性的表征研究

  

  鋁摻雜氧化鋅（Al:ZnO，AZO）兼具高透明度與高導(dǎo)電性，且組成元素儲(chǔ)量豐富、無(wú)毒，適用于多種大面積光電器件。光譜橢偏法通過(guò)引入振蕩子模型，可以同時(shí)提取薄膜的多個(gè)光學(xué)和電學(xué)參數(shù)，是評(píng)估大面積沉積質(zhì)量的有效手段。本研究用該方法對(duì)沉積在15cm×15cm玻璃襯底上的AZO薄膜進(jìn)行多點(diǎn)測(cè)量，獲取方塊電阻和可見光透過(guò)率的空間分布。對(duì)照測(cè)量（分光光度法和四探針法）顯

  光譜 測(cè)量 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2026-03-30 18:02

  臺(tái)階儀在Mo?C薄膜測(cè)量中的應(yīng)用 | 粗糙化比率>1的薄膜材料

  

  在薄膜科學(xué)與技術(shù)領(lǐng)域，表面粗糙度是評(píng)價(jià)薄膜質(zhì)量、理解生長(zhǎng)機(jī)制的重要指標(biāo)。Flexfilm費(fèi)曼儀器探針式臺(tái)階儀可以實(shí)現(xiàn)表面微觀特征的精準(zhǔn)表征與關(guān)鍵參數(shù)的定量測(cè)量，精確測(cè)定樣品的表面臺(tái)階高度與膜厚，為材料質(zhì)量把控和生產(chǎn)效率提升提供數(shù)據(jù)支撐。本文基于臺(tái)階儀對(duì)Mo?C薄膜表面粗糙度的測(cè)量結(jié)果，結(jié)合晶粒邊界修正，系統(tǒng)分析了其快速粗糙化現(xiàn)象，并對(duì)常規(guī)粗糙化理論難以解釋的

  測(cè)量 薄膜 薄膜材料

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• 發(fā)布了文章 2026-03-27 18:02

  基于橢偏儀的大尺寸MPALD氧化鋁薄膜厚度均勻性與n、k值表征

  

  隨著半導(dǎo)體制造工藝不斷向更小線寬和更高精度演進(jìn)，原子層沉積技術(shù)因其原子級(jí)厚度可控性及優(yōu)異的均勻性、保形性，在集成電路制造領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。然而，傳統(tǒng)熱驅(qū)動(dòng)原子層沉積工藝受限于配體交換反應(yīng)的溫度要求，難以滿足熱敏感基底的低溫沉積需求。為此，等離子體增強(qiáng)原子層沉積技術(shù)通過(guò)引入高活性自由基替代熱反應(yīng)，有效拓寬了材料范圍并降低了沉積溫度。在各類等離子體源中，微波等離

  儀器 半導(dǎo)體制造 薄膜

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