英飛凌工業(yè)半導體文章

• 探究快速開關應用中SiC MOSFET體二極管的關斷特性2023-01-04 09:45

  

  SiC MOSFET體二極管的關斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因為SiC MOSFET體二極管具有獨特的特性。對于1200V SiC MOSFET來說，輸出電容的影響較大，而PN二極管的雙極電荷影響較小。本文探討了SiC MOSFET的獨有特性以及影響體二極管關斷特性的多個影響因素，并且闡明了快速開關應用中SiC MOSFET的反向恢復損耗概

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• 魚與熊掌皆可得？當SiC MOSFET遇上2L-SRC2022-05-27 01:47

  

  引言事物皆有兩面：SiCMOSFET以更快的開關速度，相比IGBT可明顯降低器件開關損耗，提升系統(tǒng)效率和功率密度；但是高速的開關切換，也產(chǎn)生了更大的dv/dt和di/dt，對一些電機控制領域的電機絕緣和EMI設計都帶來了額外的挑戰(zhàn)。應用痛點氫燃料系統(tǒng)中的高速空壓機控制器功率35kW上下，轉(zhuǎn)速高達10萬轉(zhuǎn)以上，輸出頻率可達2000Hz，調(diào)制頻率50kHz以上是

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• IGBT窄脈沖現(xiàn)象解讀2022-05-26 02:14

  

  什么是窄脈沖現(xiàn)象IGBT作為一種功率開關，從門級信號到器件開關過程需要一定反應時間，就像生活中開關門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現(xiàn)象隨著IGBT被高頻PWM調(diào)制信號驅(qū)動時，時常會無奈發(fā)生，占空比越小越容易輸出窄脈沖，且IGBT反并聯(lián)續(xù)流二極管FWD在硬開關續(xù)流時反向恢復特性也會變快。以1700V/1000A

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• Tvj - IGBT元宇宙中的結(jié)溫2022-05-24 05:30

  

  ///在IGBT應用中，結(jié)溫是經(jīng)常使用的一個參數(shù)，大部分讀者應該都很熟悉這個概念，但是這和元宇宙有什么關系呢？我想先請大家考慮一個問題：IGBT結(jié)溫到底是指具體哪兒的溫度？。。。你們是不是已經(jīng)開始上百度搜索答案了？我在百度百科以及維基百科搜索出結(jié)溫的解釋大概是這樣的：晶體管結(jié)溫，簡稱結(jié)溫，是指半導體芯片內(nèi)的最高工作溫度，通常芯片的結(jié)溫會比芯片的外殼高。。。原

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• 新品 | 溝槽柵 2000/3000A 4500V 125mm平板型壓接式IGBT2022-05-24 05:26

  

  新品溝槽柵2000/3000A4500V125mm平板型壓接式IGBT溝槽柵2000/3000A4500V125mm平板型壓接式IGBT相關器件：P2000DL45X1682000A4500V帶續(xù)流二極管125mm平板型P3000ZL45X1683000A4500V不帶續(xù)流二極管125mm平板型InfineonTechnologiesBipolar擴展了其高

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• 如何計算驅(qū)動芯片的desat保護時間2022-05-24 05:24

  

  SiCMOSFET短路時間相比IGBT短很多，英飛凌CoolSiCMOSFET單管保證3us的短路時間，Easy模塊保證2us的短路時間，因此要求驅(qū)動電路和的短路響應迅速而精確。今天，我們來具體看一下這個短而精的程度。圖1是傳統(tǒng)典型的驅(qū)動芯片退飽和檢測原理，芯片內(nèi)置一個恒流源。功率開關器件在門極電壓一定時，發(fā)生短路后，電流不斷增加，導致器件VCE電壓迅速提升

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• IGBT門極驅(qū)動到底要不要負壓2022-05-13 01:25

  

  先說結(jié)論，如果條件允許還是很建議使用負壓作為IGBT關斷的。但是從成本和設計的復雜度來說，很多工程師客戶希望不要使用負壓。下面我們從門極寄生導通現(xiàn)象來看這個問題。IGBT是一個受門極電壓控制開關的器件，只有門極電壓超過閾值才能開通。工作時常被看成一個高速開關，在實際使用中會產(chǎn)生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。電壓變化Dv/dt通過米勒電容CCG

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• 英飛凌精彩亮相歐洲PCIM 2022：盡享非凡功率2022-05-10 01:25

  

  PCIM歐洲始于1979年的德國紐倫堡，是全球電力電子行業(yè)的頂級展會及研討會，已有40年多年歷史。在這一行業(yè)盛會上，全球從業(yè)者齊聚一堂，展示與交流電力電子技術和應用。來自學術界和工業(yè)界的專家在這里發(fā)布最新的研究成果和新產(chǎn)品，內(nèi)容從器件、驅(qū)動控制、封裝技術到最終系統(tǒng)，涵蓋整個生態(tài)鏈。英飛凌將亮相PCIM2022（5月10日至12日，德國紐倫堡），展示功率半導體

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• 如何拓展IGBT驅(qū)動器電流2022-05-08 01:46

  

  功率半導體驅(qū)動電路是集成電路的一個重要子類，功能強大，用于IGBT的驅(qū)動IC除了提供驅(qū)動電平和電流，往往帶有驅(qū)動的保護功能，包括退飽和短路保護、欠壓關斷、米勒鉗位、兩級關斷、軟關斷、SRC(slewratecontrol)等，產(chǎn)品還具有不同等級的絕緣性能。但作為集成電路，其封裝決定了最大功耗，驅(qū)動IC輸出電流有的可以做到10A以上，但還是不能滿足大電流IGB

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• 當.XT技術遇上SiC單管2022-04-30 01:57

  

  英飛凌于2020年發(fā)布了基于.XT技術的D2PAK-7L封裝1200VSiCMOSFETSMD系列產(chǎn)品，導通電阻從350mohm到30mohm，覆蓋功率范圍最高可到20kW，產(chǎn)品目錄下圖1。圖1.英飛凌D2PAK-7L1200VSiCMOSFET產(chǎn)品也許您已選用測試，或許還在選型觀望，又或者正懵懂于“.XT”是個啥？不妨讀完此文，撥云見日，三站地鐵，十分鐘足

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