chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

新品 | 溝槽柵 2000/3000A 4500V 125mm平板型壓接式IGBT

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2022-05-24 15:08 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

新品

溝槽柵2000/3000A 4500V

125mm平板型壓接式IGBT

溝槽柵2000/3000A 4500V 125mm平板型壓接式IGBT

相關(guān)器件:

P2000DL45X168 2000A 4500V帶續(xù)流二極管 125mm平板型

P3000ZL45X168 3000A 4500V不帶續(xù)流二極管 125mm平板型

Infineon Technologies Bipolar擴(kuò)展了其高功率產(chǎn)品系列,4.5kV PPI IGBT使用英飛凌溝槽柵IGBT, 封裝為直接壓制式Press Pack,商品名Infineon Prime Switch。

這種新的、經(jīng)過應(yīng)用優(yōu)化的壓接式PPI IGBT提供了2000A(帶內(nèi)部續(xù)流二極管)和3000A(不帶內(nèi)部續(xù)流二極管)。它們旨在滿足使用IGBT功率半導(dǎo)體的高功率系統(tǒng)的所有當(dāng)前和未來要求。主要應(yīng)用于HVDC和FACTS,直流斷路器,中壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,風(fēng)電變流器和牽引。

產(chǎn)品特點(diǎn)

4.5kV溝槽柵IGBT芯片

長(zhǎng)期穩(wěn)定的故障時(shí)短路特性

密封封裝

應(yīng)用價(jià)值

堅(jiān)固耐用,可抵御外部環(huán)境氣體

防爆外殼

雙面冷卻

允許安裝壓力范圍大

失效長(zhǎng)期短路模式

最高的功率循環(huán)能力

應(yīng)用領(lǐng)域

高壓直流輸電和FACTS

直流斷路器

中壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)

風(fēng)電變流器

牽引

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1286

    文章

    4178

    瀏覽量

    258970
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    IGBT的概念、靜態(tài)參數(shù)及測(cè)試方法

    IGBT(絕緣雙極晶體管)是一種復(fù)合全控電壓驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件,結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR(電力晶體管)的低導(dǎo)通
    的頭像 發(fā)表于 09-20 16:46 ?2065次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b>的概念、靜態(tài)參數(shù)及測(cè)試方法

    CoolSiC? 2000V SiC 溝槽MOSFET定義新能源應(yīng)用中功率密度增強(qiáng)的新基準(zhǔn)

    本文為2024年P(guān)CIM論文更多精彩內(nèi)容請(qǐng)關(guān)注2025PCIM本文介紹了新的CoolSiC2000VSiC溝槽MOSFET系列。該系列單管產(chǎn)品采用新的TO-247PLUS-4-HCC封裝,具有
    的頭像 發(fā)表于 08-29 17:10 ?1014次閱讀
    CoolSiC? <b class='flag-5'>2000V</b> SiC <b class='flag-5'>溝槽</b><b class='flag-5'>柵</b>MOSFET定義新能源應(yīng)用中功率密度增強(qiáng)的新基準(zhǔn)

    浮思特 | 高溫高耦合加速IGBT性能劣化機(jī)制與防護(hù)

    IGBT(絕緣雙極晶體管)作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心開關(guān)器件,其長(zhǎng)期可靠性直接關(guān)系到設(shè)備壽命與運(yùn)行安全。在諸多應(yīng)力因素中,高柵極電壓(Vge)與工作溫度(Tj)的協(xié)同作用,往往成為加速器件內(nèi)部劣
    的頭像 發(fā)表于 07-15 09:57 ?2098次閱讀
    浮思特 | 高溫高<b class='flag-5'>柵</b><b class='flag-5'>壓</b>耦合加速<b class='flag-5'>IGBT</b>性能劣化機(jī)制與防護(hù)

    揚(yáng)杰電子MG600HF065TLC2 IGBT模塊:大功率應(yīng)用的卓越解決方案

    概述 MG600HF065TLC2是一款電壓等級(jí)為650V、額定電流高達(dá)600A的高性能IGBT模塊。采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),模塊實(shí)現(xiàn)了極低的飽和
    的頭像 發(fā)表于 06-19 16:56 ?367次閱讀
    揚(yáng)杰電子MG600HF065TLC2 <b class='flag-5'>IGBT</b>模塊:大功率應(yīng)用的卓越解決方案

    新品 | 儲(chǔ)能用1200V 500A NPC2 三電平IGBT EasyPACK? 3B模塊

    和Emcon7芯片技術(shù)。該模塊采用大電流PressFIT引腳,配備NTC溫度傳感器,并針對(duì)儲(chǔ)能應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,非常適用于1000VDC100kW功率變換系統(tǒng)。產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 05-16 17:08 ?648次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 儲(chǔ)能用1200<b class='flag-5'>V</b> 500<b class='flag-5'>A</b> NPC2 三電平<b class='flag-5'>IGBT</b> EasyPACK? 3B模塊

    IPAC碳化硅直播季倒計(jì)時(shí)丨溝槽VS平面,孰是王者?

    直播時(shí)間:5月20日14:00直播主題:溝槽VS平面,孰是王者?立即掃碼報(bào)名吧!直播間不定時(shí)會(huì)有禮品掉落,速速掃碼預(yù)約!520碳化硅首場(chǎng)直播,帶你直擊可靠性核心戰(zhàn)場(chǎng)!平面
    的頭像 發(fā)表于 05-15 17:05 ?436次閱讀
    IPAC碳化硅直播季倒計(jì)時(shí)丨<b class='flag-5'>溝槽</b><b class='flag-5'>柵</b>VS平面<b class='flag-5'>柵</b>,孰是王者?

    D-436-38死接頭筒可以多少根鍍銀多股導(dǎo)線

    D-436-38死接頭筒可以多少根鍍銀多股導(dǎo)線D-436-38死接頭是TE/Raychem瑞侃的一款高性能
    發(fā)表于 04-11 10:15

    Littelfuse新型1300V A5A溝槽分立式IGBT在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用

    Littelfuse推出新型1300V A5A溝槽分立式IGBT,專為800V電動(dòng)汽車(BEV)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這些
    的頭像 發(fā)表于 04-09 10:15 ?1623次閱讀
    Littelfuse新型1300<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>A5A</b><b class='flag-5'>溝槽</b>分立式<b class='flag-5'>IGBT</b>在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用

    高電流密度IGBT模塊LE2 200A/650V介紹

    JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊,采用溝槽場(chǎng)終止技術(shù)IGB
    的頭像 發(fā)表于 01-16 14:16 ?928次閱讀

    英飛凌IGBT7系列芯片大解析

    上回書(英飛凌芯片簡(jiǎn)史)說到,IGBT自面世以來,歷經(jīng)數(shù)代技術(shù)更迭,標(biāo)志性的技術(shù)包括平面+NPT結(jié)構(gòu)的IGBT2,溝槽+場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的
    的頭像 發(fā)表于 01-15 18:05 ?1756次閱讀
    英飛凌<b class='flag-5'>IGBT</b>7系列芯片大解析

    新品 | 電動(dòng)汽車充電直流-直流變換器次級(jí)用Easy模塊

    DDB2U60N12W3RF_C39EasyBRIDGE為1200V、60A整流模塊,采用溝槽場(chǎng)終止技術(shù)IGBT7和CoolSiC肖特基二
    的頭像 發(fā)表于 12-07 01:05 ?514次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 電動(dòng)汽車充電直流-直流變換器次級(jí)用Easy模塊

    N頭連接器安裝方便嗎

    德索工程師說道N頭連接器在安裝方面具有顯著的優(yōu)勢(shì),其安裝過程相對(duì)簡(jiǎn)便快捷,能夠適應(yīng)多種安裝環(huán)境和需求。以下是對(duì)
    的頭像 發(fā)表于 11-19 09:44 ?936次閱讀
    <b class='flag-5'>壓</b><b class='flag-5'>接</b><b class='flag-5'>式</b>N頭連接器安裝方便嗎

    中國(guó)IGBT芯片細(xì)分應(yīng)用領(lǐng)域分析 高壓IGBT打破國(guó)外技術(shù)壟斷

    )組成的復(fù)合全控電壓驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通降、高速開關(guān)特性和低導(dǎo)通狀態(tài)損耗等特點(diǎn),在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。目前IGBT已經(jīng)能夠覆蓋從600
    的頭像 發(fā)表于 11-08 11:30 ?3269次閱讀
    中國(guó)<b class='flag-5'>IGBT</b>芯片細(xì)分應(yīng)用領(lǐng)域分析 高壓<b class='flag-5'>IGBT</b>打破國(guó)外技術(shù)壟斷

    N公頭詳解

    連接器的結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)、安裝方法和應(yīng)用場(chǎng)景。  結(jié)構(gòu):N公頭連接器主要由插頭和插座兩部分組成,其中插頭又稱自由端連接器,而插座則稱為固定連接器。插頭部分包含一
    的頭像 發(fā)表于 10-28 10:04 ?1644次閱讀
    N<b class='flag-5'>型</b>公頭<b class='flag-5'>壓</b><b class='flag-5'>接</b><b class='flag-5'>式</b>詳解

    端子的目標(biāo)與缺陷

    端子的連接方式有多種多樣,常見的有焊接、螺釘鏈接、等等。旗端子是一種形狀像旗子一樣的端子,是旗
    的頭像 發(fā)表于 10-28 09:14 ?1133次閱讀