chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統(tǒng)消息
      • 評論與回復
      VIP于 到期 續(xù)費
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學習在線課程
      • 觀看技術視頻
      • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
      會員中心
      創(chuàng)作中心
      發(fā)布
      創(chuàng)作活動

      完善資料讓更多小伙伴認識你，還能領取20積分哦，立即完善>

      3天內不再提示

      新品 | 溝槽柵 2000/3000A 4500V 125mm平板型壓接式IGBT

      英飛凌工業(yè)半導體 ? 2022-05-24 15:08 ? 次閱讀
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

      新品

      溝槽柵2000/3000A 4500V

      125mm平板型壓接式IGBT

      溝槽柵2000/3000A 4500V 125mm平板型壓接式IGBT

      相關器件：

      P2000DL45X168 2000A 4500V帶續(xù)流二極管 125mm平板型

      P3000ZL45X168 3000A 4500V不帶續(xù)流二極管 125mm平板型

      Infineon Technologies Bipolar擴展了其高功率產品系列，4.5kV PPI IGBT使用英飛凌溝槽柵IGBT, 封裝為直接壓制式Press Pack，商品名Infineon Prime Switch。

      這種新的、經過應用優(yōu)化的壓接式PPI IGBT提供了2000A（帶內部續(xù)流二極管）和3000A（不帶內部續(xù)流二極管）。它們旨在滿足使用IGBT功率半導體的高功率系統(tǒng)的所有當前和未來要求。主要應用于HVDC和FACTS，直流斷路器，中壓電機驅動器，風電變流器和牽引。

      產品特點

      4.5kV溝槽柵IGBT芯片

      長期穩(wěn)定的故障時短路特性

      密封封裝

      應用價值

      堅固耐用，可抵御外部環(huán)境氣體

      防爆外殼

      雙面冷卻

      允許安裝壓力范圍大

      失效長期短路模式

      最高的功率循環(huán)能力

      應用領域

      高壓直流輸電和FACTS

      直流斷路器

      中壓電機驅動

      風電變流器

      牽引

      聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
      • IGBT
        +關注

        關注

        1286

        文章

        4263

        瀏覽量

        260491
      收藏 人收藏
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

        評論

        相關推薦
        熱點推薦

        深入解析 FGHL50T65MQDTL4：650V、50A 場截止溝槽 IGBT

        在功率半導體領域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）一直扮演著至關重要的角色。今天要給大家詳細介紹的是安森美（onsemi）的一款 650V、50A
        的頭像 發(fā)表于 12-08 11:35 ?233次閱讀
        深入解析 FGHL50T65MQDTL4：650<b class='flag-5'>V</b>、50<b class='flag-5'>A</b> 場截止<b class='flag-5'>溝槽</b> <b class='flag-5'>IGBT</b>

        探索FGHL50T65MQDT：650V、50A場截止溝槽IGBT的卓越性能

        在電子工程領域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）一直是功率轉換和控制應用中的關鍵組件。今天，我們將深入探討ON Semiconductor推出的FGHL50T65MQDT場截止溝槽
        的頭像 發(fā)表于 12-08 11:21 ?245次閱讀
        探索FGHL50T65MQDT：650<b class='flag-5'>V</b>、50<b class='flag-5'>A</b>場截止<b class='flag-5'>溝槽</b><b class='flag-5'>IGBT</b>的卓越性能

        飛虹IGBT單管FHA40T65A在逆變器電路設計中的應用

        FHA40T65A作為一款場N溝道溝槽柵截止型IGBT單管，采用TO-3PN封裝，使用Trench Field stop Ⅱ technol
        的頭像 發(fā)表于 11-28 13:47 ?3161次閱讀
        飛虹<b class='flag-5'>IGBT</b>單管FHA40T65<b class='flag-5'>A</b>在逆變器電路設計中的應用

        1903114-2壓接式連接器端子現(xiàn)貨庫存

        1903114-2是TE Connectivity（Raychem瑞侃）推出的一款壓接式連接器端子，屬于DYNAMIC D1000系列，具備高可靠性、寬溫度范圍及靈活配置等特點，1903114-2需
        發(fā)表于 11-04 09:56

        IGBT的概念、靜態(tài)參數及測試方法

        IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，結合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR(電力晶體管)的低導通
        的頭像 發(fā)表于 09-20 16:46 ?2276次閱讀
        <b class='flag-5'>IGBT</b>的概念、靜態(tài)參數及測試方法

        CoolSiC? 2000V SiC 溝槽柵MOSFET定義新能源應用中功率密度增強的新基準

        本文為2024年PCIM論文更多精彩內容請關注2025PCIM本文介紹了新的CoolSiC2000VSiC溝槽柵MOSFET系列。該系列單管產品采用新的TO-247PLUS-4-HCC封裝，具有
        的頭像 發(fā)表于 08-29 17:10 ?1419次閱讀
        CoolSiC? <b class='flag-5'>2000V</b> SiC <b class='flag-5'>溝槽</b><b class='flag-5'>柵</b>MOSFET定義新能源應用中功率密度增強的新基準

        浮思特 | 高溫高柵壓耦合加速IGBT性能劣化機制與防護

        IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心開關器件，其長期可靠性直接關系到設備壽命與運行安全。在諸多應力因素中，高柵極電壓(Vge)與工作溫度(Tj)的協(xié)同作用，往往成為加速器件內部劣
        的頭像 發(fā)表于 07-15 09:57 ?2319次閱讀
        浮思特 | 高溫高<b class='flag-5'>柵</b><b class='flag-5'>壓</b>耦合加速<b class='flag-5'>IGBT</b>性能劣化機制與防護

        揚杰電子MG600HF065TLC2 IGBT模塊：大功率應用的卓越解決方案

        概述 MG600HF065TLC2是一款電壓等級為650V、額定電流高達600A的高性能IGBT模塊。采用先進的溝槽技術，模塊實現(xiàn)了極低的飽和壓
        的頭像 發(fā)表于 06-19 16:56 ?465次閱讀
        揚杰電子MG600HF065TLC2 <b class='flag-5'>IGBT</b>模塊：大功率應用的卓越解決方案

        新品 | 儲能用1200V 500A NPC2 三電平IGBT EasyPACK? 3B模塊

        和Emcon7芯片技術。該模塊采用大電流PressFIT壓接式引腳，配備NTC溫度傳感器，并針對儲能應用進行了優(yōu)化，非常適用于1000VDC100kW功率變換系統(tǒng)。產
        的頭像 發(fā)表于 05-16 17:08 ?746次閱讀
        <b class='flag-5'>新品</b> | 儲能用1200<b class='flag-5'>V</b> 500<b class='flag-5'>A</b> NPC2 三電平<b class='flag-5'>IGBT</b> EasyPACK? 3B模塊

        IPAC碳化硅直播季倒計時丨溝槽柵VS平面柵，孰是王者？

        直播時間：5月20日14:00直播主題：溝槽柵VS平面柵，孰是王者？立即掃碼報名吧！直播間不定時會有禮品掉落，速速掃碼預約！520碳化硅首場直播，帶你直擊可靠性核心戰(zhàn)場！平面柵和
        的頭像 發(fā)表于 05-15 17:05 ?494次閱讀
        IPAC碳化硅直播季倒計時丨<b class='flag-5'>溝槽</b><b class='flag-5'>柵</b>VS平面<b class='flag-5'>柵</b>，孰是王者？

        D-436-38型死接頭壓接筒可以壓接多少根鍍銀多股導線

        D-436-38型死接頭壓接筒可以壓接多少根鍍銀多股導線D-436-38死接頭是TE/Raychem瑞侃的一款高性能
        發(fā)表于 04-11 10:15

        Littelfuse新型1300V A5A溝槽分立式IGBT在電動汽車中的應用

        Littelfuse推出新型1300V A5A溝槽分立式IGBT，專為800V電動汽車（BEV）應用而設計。這些
        的頭像 發(fā)表于 04-09 10:15 ?1754次閱讀
        Littelfuse新型1300<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>A5A</b><b class='flag-5'>溝槽</b>分立式<b class='flag-5'>IGBT</b>在電動汽車中的應用

        浪涌電流測試系統(tǒng) BW-IFSM/ITSM（方波 100μm-10ms/＜1000A,正弦波 100μm-10ms/＞3000A）可加熱

        電流50～3000A，分辨率1A,精度＜2%±1， 低檔范圍：50～200A，計算機設定 高檔范圍：100～3000A計算機設定 b.浪涌電流底寬：0.1ms、1ms、8.3ms、 1
        發(fā)表于 03-11 10:37

        高電流密度IGBT模塊LE2 200A/650V介紹

        JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊，采用溝槽柵場終止技術IGB
        的頭像 發(fā)表于 01-16 14:16 ?1045次閱讀

        英飛凌IGBT7系列芯片大解析

        上回書(英飛凌芯片簡史)說到，IGBT自面世以來，歷經數代技術更迭，標志性的技術包括平面柵+NPT結構的IGBT2，溝槽柵+場截止結構的
        的頭像 發(fā)表于 01-15 18:05 ?2092次閱讀
        英飛凌<b class='flag-5'>IGBT</b>7系列芯片大解析