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透射電子顯微鏡(TEM)與聚焦離子束技術(shù)(FIB)在材料分析中的應(yīng)用2025-05-09 16:47
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元器件失效分析有哪些方法?2025-05-08 14:30
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聚焦離子束技術(shù):原理、應(yīng)用與展望2025-05-08 14:26
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AEC-Q102認(rèn)證之器件可焊性2025-05-07 14:11
可焊性測(cè)試在汽車電子中的關(guān)鍵地位在汽車電子行業(yè),AEC-Q102標(biāo)準(zhǔn)為分立光電半導(dǎo)體元件的可靠性測(cè)試提供了全面而嚴(yán)格的規(guī)范。其中,可焊性測(cè)試作為核心環(huán)節(jié)之一,對(duì)于保障產(chǎn)品質(zhì)量和性能發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。汽車電子設(shè)備在運(yùn)行過程中需要面對(duì)復(fù)雜多變的工作環(huán)境,如高溫、高濕、振動(dòng)等,而良好的可焊性是確保光電半導(dǎo)體器件與電路板之間實(shí)現(xiàn)可靠電氣連接和機(jī)械固定的基礎(chǔ)。只有 -
雪崩二極管:汽車電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵光檢測(cè)元件2025-05-06 15:06
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聚焦離子束技術(shù)在透射電子顯微鏡樣品制備中的應(yīng)用2025-05-06 15:03
聚焦離子束技術(shù)聚焦離子束(FocusedIonBeam,簡稱FIB)技術(shù)是一種先進(jìn)的微觀加工與分析手段,廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、納米技術(shù)以及半導(dǎo)體研究等領(lǐng)域。FIB核心原理是利用離子源產(chǎn)生高能離子束,通常以鎵(Ga)離子為主,部分設(shè)備還配備氦(He)或氖(Ne)離子源。離子束在轟擊樣品時(shí),會(huì)產(chǎn)生濺射現(xiàn)象,從而實(shí)現(xiàn)材料的精準(zhǔn)去除,同時(shí)通過二次電子信號(hào)獲取樣品的形貌 -
FIB 技術(shù)在電池材料研究中的相關(guān)應(yīng)用2025-04-30 15:20
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AEC-Q102中WHTOL及H3TRB試驗(yàn)的異同2025-04-29 17:28
汽車電子行業(yè)中光電半導(dǎo)體的要求在汽車電子行業(yè)我們熟知的光電半導(dǎo)體器件可靠性是確保車輛安全和性能的關(guān)鍵因素之一。隨著汽車技術(shù)的進(jìn)步,這些器件不僅要在各種氣候條件下穩(wěn)定工作,還要承受來自車輛內(nèi)部和外部的多種應(yīng)力。AEC-Q102標(biāo)準(zhǔn)為這些器件提供了一套全面的測(cè)試和評(píng)估程序,以確保它們能夠滿足汽車行業(yè)的嚴(yán)格要求。WHTOL測(cè)試的重要性AEC-Q102標(biāo)準(zhǔn)中的一個(gè)重 -
元器件失效之推拉力測(cè)試2025-04-29 17:26
元器件失效之推拉力測(cè)試在當(dāng)代電子設(shè)備的生產(chǎn)與使用過程中,組件的故障不僅可能降低產(chǎn)品的性能,還可能導(dǎo)致產(chǎn)品徹底失效,給用戶帶來麻煩和經(jīng)濟(jì)損失,同時(shí)對(duì)制造商的聲譽(yù)和成本也會(huì)造成負(fù)面影響。為什么要做推拉力測(cè)試?在電子元件的焊接、運(yùn)輸和使用過程中,它們經(jīng)常遭受到振動(dòng)、沖擊以及彎曲等外部力量的干擾,這些力量可能在焊點(diǎn)或元件上產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力,進(jìn)而有可能導(dǎo)致焊點(diǎn)斷裂或元件損 -
LED芯片質(zhì)量檢測(cè)技術(shù)之X-ray檢測(cè)2025-04-28 20:18
X射線檢測(cè)在光電半導(dǎo)體領(lǐng)域,LED芯片作為核心技術(shù),其質(zhì)量至關(guān)重要。隨著制造工藝的不斷進(jìn)步,LED芯片的結(jié)構(gòu)日益復(fù)雜,內(nèi)部潛在缺陷的風(fēng)險(xiǎn)也隨之增加。盡管在常規(guī)工作條件下,這些缺陷可能不會(huì)明顯影響芯片的性能,但在高電流、高溫等極端環(huán)境下,它們可能引發(fā)功能失效,甚至導(dǎo)致整個(gè)LED系統(tǒng)損壞。因此,在LED芯片制造和應(yīng)用過程中,利用無損檢測(cè)技術(shù)對(duì)內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)檢查