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新品 | 聯(lián)訊儀器全新推出低泄漏電流開(kāi)關(guān)矩陣RM1010-LLC2023-05-21 08:32
在半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)研發(fā)或者半導(dǎo)體晶圓封測(cè)過(guò)程中需要進(jìn)行電性能參數(shù)的表征,這些測(cè)量需要將精密源表(Source/MeasureUnit),LCR表(LCRMeter),數(shù)字萬(wàn)用表(DigitalMulti-Meter)等多種精密儀器組成自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng),測(cè)量非常低的電流,皮安或更小,測(cè)試系統(tǒng)中任何漏電流的存在都會(huì)對(duì)測(cè)試結(jié)果造成很大影響。聯(lián)訊儀器低漏電流開(kāi)關(guān)矩陣R -
新品 | 聯(lián)訊儀器 PXIe 精密源表S2013C,高速高精度測(cè)量!2023-05-04 17:26
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全新升級(jí) | DCA6201-支持單波100G PAM4及50G PON眼圖測(cè)試2023-03-28 18:06
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新品 ┃ 聯(lián)訊儀器全新推出200V PXIe 精密源表S2012C2023-01-30 14:32
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聯(lián)訊儀器 | 推出25G/50G突發(fā)誤碼儀2022-12-04 09:18
聯(lián)訊rBT2250突發(fā)誤碼儀隨著10GPON網(wǎng)絡(luò)部署和實(shí)施,下一代50GPON網(wǎng)絡(luò)的標(biāo)準(zhǔn)也已經(jīng)完善:2018年,ITU/FSAN啟動(dòng)了基于單波長(zhǎng)50GPON標(biāo)準(zhǔn)的制定工作,命名為G.HSP(G.HigherSpeedPON)。2019年,50GPON的總體需求G.9804.1發(fā)布,明確了單波長(zhǎng)TDMPON架構(gòu),以及上下行速率組合,此外,50GPON需要滿(mǎn)足與 -
聯(lián)訊儀器 | CoC全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)CT62012022-12-02 09:17
“半導(dǎo)體激光器通常根據(jù)老化前(Pre-BurnIn)及老化后(PostBurn-In)測(cè)量的一個(gè)或多個(gè)關(guān)鍵運(yùn)行參數(shù)的變化進(jìn)行篩選,剔除早期失效,提高產(chǎn)品可靠性,這些參數(shù)通常包括閾值電流,在特定工作條件下的輸出光功率,達(dá)到特定輸出光功率所需要的電流,斜線(xiàn)效率以及光譜特性等等。聯(lián)訊儀器CoC測(cè)試聯(lián)訊儀器全自動(dòng)CoC測(cè)試系統(tǒng)CT6201,與聯(lián)訊儀器BI6201老化 -
聯(lián)訊儀器 | CoC老化系統(tǒng)2022-11-30 09:14
“半導(dǎo)體激光器是光收發(fā)模塊核心器件,其穩(wěn)定性直接影響模塊的產(chǎn)品質(zhì)量,CoC老化測(cè)試是一種有效的剔除早期CoC產(chǎn)品失效的篩選方法。聯(lián)訊儀器CoC老化測(cè)試設(shè)備通過(guò)控制老化溫度,老化電流,老化時(shí)長(zhǎng)等測(cè)試條件,對(duì)老化前后的激光器功率變化,閾值變化等進(jìn)行評(píng)估,將產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造中的材料缺陷,加工缺陷等及早篩選出來(lái),提高了進(jìn)入后端工序的產(chǎn)品的可靠性!聯(lián)訊儀器CoC老化聯(lián)訊儀 -
400G以太網(wǎng)光模塊發(fā)展及聯(lián)訊測(cè)試方案2022-11-20 09:25
云計(jì)算,VR/AR,AI,5G等技術(shù)的應(yīng)用對(duì)流量的需求非常大,流量的爆炸性增長(zhǎng)需要更高的帶寬,其中數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)傳輸距離通常較短,但是對(duì)帶寬需求更大。目前,數(shù)據(jù)中心不同機(jī)房間的互聯(lián)以及多個(gè)數(shù)據(jù)中心之間的互聯(lián)場(chǎng)景正逐步向400G甚至800G光模塊演進(jìn)。400G以太網(wǎng)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)發(fā)展IEEE802.3工作組主要側(cè)重以太網(wǎng)物理接口的標(biāo)準(zhǔn)化工作,截止到目前已經(jīng)發(fā)布了一系列 -
聯(lián)訊儀器裸Die半導(dǎo)體激光器芯片測(cè)試機(jī)2022-11-20 09:23
芯片良率是影響企業(yè)成本的重要因素之一,半導(dǎo)體激光器屬于化合物半導(dǎo)體,其主要材質(zhì)以非常脆的砷化鎵、磷化銦為主,在其制備的各個(gè)工藝環(huán)節(jié),良品率不高是一個(gè)普遍問(wèn)題。以國(guó)外知名芯片企業(yè)為例,其生產(chǎn)能達(dá)到70%以上良率,但后道封裝以及最終產(chǎn)品嚴(yán)格判定標(biāo)準(zhǔn)等累計(jì)具有30%良率的損失。良品率不高,就需要專(zhuān)用的測(cè)試裝備對(duì)不良品進(jìn)行篩選,國(guó)內(nèi)在此領(lǐng)域原先一直停留在低端的Bar