聯(lián)訊儀器PXIe源測量單元(SMU)集成高精度源和測量單元，可利用PXIe源測量單元構(gòu)建高密度并行測試系統(tǒng)，以滿足大規(guī)模半導(dǎo)體集成電路的高通道密度，并增加配置的靈活性，最大化測試效率，降低測試成本。

聯(lián)訊儀器PXIe SMU基于先進的數(shù)字控制技術(shù)，集成的Adaptive PFC（Precision-Fast Control）系統(tǒng)使用戶可根據(jù)負(fù)載特性，調(diào)整相關(guān)參數(shù)來獲得精確、快速的輸出特性, 即使在高容性負(fù)載情況下，也可最小化過沖和振蕩。

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主要特點

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高電壓高精度測量

S2013C 支持200V/1A直流/3A脈沖，分辨率100fA/100nV，電壓精度100μV，電流精度200pA

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AdaptivePFC系統(tǒng)

用戶可利用Adaptive PFC(Precise-Fast Control)系統(tǒng)，用戶可根據(jù)負(fù)載特性，調(diào)整相關(guān)參數(shù)，獲得更精確，快速的輸出特性

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高速測量S2013C最高可支持1M的采樣率，NPLC和采樣率可根據(jù)需要設(shè)定，以滿足高速高精度的測量場景

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Adaptive PFC系統(tǒng)

SMU采用閉環(huán)反饋控制，以確保源的輸出精確的加在負(fù)載上。實際使用中，對于不同的負(fù)載，要獲得理想的響應(yīng)，源表的輸出特性需要可配置，然而傳統(tǒng)的SMU使用模擬硬件來實現(xiàn)控制循環(huán)，負(fù)載會直接影響用于調(diào)節(jié)輸出電壓或電流的控制循環(huán)。因此傳統(tǒng)的模擬架構(gòu)很難實現(xiàn)既快又沒有過沖，設(shè)計剛好能為不同負(fù)載提供理想響應(yīng)的電路幾乎不現(xiàn)實。

聯(lián)訊PXIe源表采用數(shù)字控制系統(tǒng)， 集成的Adaptive PFC(Precise-Fast Control)系統(tǒng)，可通過軟件優(yōu)化控制循環(huán)，從而實現(xiàn)對不同負(fù)載的響應(yīng)進行優(yōu)化。該技術(shù)能夠提供最佳響應(yīng)時間，縮短測試時間，并且消除振蕩，提高測試的穩(wěn)定性。

通過數(shù)字閉環(huán)控制調(diào)節(jié)輸出特性

調(diào)整前輸出特性 調(diào)整后輸出特性

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PXIe源測量單元在晶圓測試中的應(yīng)用

晶圓（Wafer）制作完成之后，成千上萬的裸Die規(guī)則的分布滿整個Wafer，芯片的管腳全部裸露在外，通過探針將裸露的芯片與源測試單元相連，進行各項電性能參數(shù)的表征。

聯(lián)訊儀器PXIe源表支持標(biāo)準(zhǔn)PXIe機箱，用戶可根據(jù)需求配置不同槽位的機箱，將PXIe源表安裝在機箱中，從而實現(xiàn)多路的并行測試，提高測試效率！

S2012C在CP（Chip Probing）測試中的應(yīng)用

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聯(lián)訊源表系列

聯(lián)訊儀器可提供臺式源表（帶主機和觸摸屏）以及PXIe 插卡式源表（支持標(biāo)準(zhǔn)PXIe機箱），用戶可根據(jù)需求靈活選擇。