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E-mode GaN助力4.5kW對(duì)稱(chēng)半橋LLC諧振變換器突破99%最高效率2026-01-13 16:24
云鎵半導(dǎo)體650VE-modeGaN的應(yīng)用1.背景隨著AI大數(shù)據(jù)模型的興起，對(duì)高效率、高功率密度的電源需求逐步加強(qiáng)。世界能源短缺的加劇導(dǎo)致了其他領(lǐng)域?qū)﹄娫吹母咝市枨?，各產(chǎn)業(yè)迫切希望技術(shù)進(jìn)步推動(dòng)能源供應(yīng)性能提升。與此相對(duì)應(yīng)的一個(gè)變化是關(guān)鍵性的半導(dǎo)體和器件已經(jīng)出現(xiàn)了明顯的國(guó)產(chǎn)化率迅速提升的趨勢(shì)。寬禁帶半導(dǎo)體材料（如氮化鎵、碳化硅）的應(yīng)用顯著降低了開(kāi)關(guān)損耗，同時(shí) -
最高效率突破99%的4.5kW對(duì)稱(chēng)半橋LLC諧振變換器2026-01-13 14:33
云鎵半導(dǎo)體650VEmodeGaN的應(yīng)用1.背景隨著AI大數(shù)據(jù)模型的興起，對(duì)高效率、高功率密度的電源需求逐步加強(qiáng)。世界能源短缺的加劇導(dǎo)致了其他領(lǐng)域?qū)﹄娫吹母咝市枨螅鳟a(chǎn)業(yè)迫切希望技術(shù)進(jìn)步推動(dòng)能源供應(yīng)性能提升。與此相對(duì)應(yīng)的一個(gè)變化是關(guān)鍵性的半導(dǎo)體和器件已經(jīng)出現(xiàn)了明顯的國(guó)產(chǎn)化率迅速提升的趨勢(shì)。寬禁帶半導(dǎo)體材料（如氮化鎵、碳化硅）的應(yīng)用顯著降低了開(kāi)關(guān)損耗，同時(shí)數(shù) -
云鎵半導(dǎo)體發(fā)布 2kW 雙向開(kāi)關(guān) (GaN BDS) 前置升壓 APFC 評(píng)估板2025-12-12 16:30
云鎵半導(dǎo)體2kW雙向開(kāi)關(guān)(GaNBDS)前置升壓APFC評(píng)估板CG-EVB-BDS-PFC-2KW1.雙向開(kāi)關(guān)前置升壓APFC由來(lái)雙向開(kāi)關(guān)前置升壓APFC是無(wú)橋APFC拓?fù)渲械囊环N，從拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)上來(lái)說(shuō)實(shí)際就是Boost電路的變形，只是交流輸入的正負(fù)半周各自對(duì)應(yīng)不同的電路，此拓?fù)涫∪チ苏鳂虻膽?yīng)用。2.Boost型APFC和雙向開(kāi)關(guān)前置升壓APFC的工作對(duì)比下表 -
云鎵大功率 GaN 產(chǎn)品 | 技術(shù)參數(shù)解讀 鈦金服務(wù)器電源 DEMO2025-11-11 13:45
云鎵半導(dǎo)體云鎵工業(yè)級(jí)GaN產(chǎn)品器件參數(shù)解讀&3kW服務(wù)器電源DEMO1.前言云鎵半導(dǎo)體在工業(yè)級(jí)GaN產(chǎn)品上不斷耕耘，推出系列化GaN功率器件以及驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品。在應(yīng)用DEMO上陸續(xù)展示了鈦金3000W服務(wù)器電源及600W微型逆變器。本文從器件參數(shù)、系統(tǒng)DEMO及驅(qū)動(dòng)器角度全方位解讀云鎵工業(yè)級(jí)GaN產(chǎn)品系列。2.云鎵工業(yè)級(jí)GaN產(chǎn)品參數(shù)優(yōu)勢(shì)聚焦數(shù)據(jù)中心與再生能源等 -
應(yīng)用指導(dǎo) | CGAN003: GaN switching behavior analysis2025-11-11 13:45
云鎵半導(dǎo)體應(yīng)用指導(dǎo)CGAN003:GaNswitchingbehavioranalysis眾所周知，GaN功率器件具有傳統(tǒng)功率器件無(wú)可比擬的性能優(yōu)勢(shì)，如大幅提升的開(kāi)關(guān)速度和顯著降低的開(kāi)關(guān)損耗，從而提供更優(yōu)的整體效率，這使得GaN器件在高頻、高效率的應(yīng)用中展現(xiàn)出明顯優(yōu)勢(shì)。我們的應(yīng)用指導(dǎo)將幫助客戶(hù)更好得使用云鎵的GaN器件，更大限度去挖掘云鎵的GaN器件的能力。 -
應(yīng)用指導(dǎo) | CGAN004: GaN FET loss calculation (Boost converter)2025-11-11 13:44
云鎵半導(dǎo)體應(yīng)用指導(dǎo)CGAN004:GaNFETlosscalculation(Boostconverter)眾所周知，GaN功率器件具有傳統(tǒng)功率器件無(wú)可比擬的性能優(yōu)勢(shì)，如大幅提升的開(kāi)關(guān)速度和顯著降低的開(kāi)關(guān)損耗，從而提供更優(yōu)的整體效率，這使得GaN器件在高頻、高效率的應(yīng)用中展現(xiàn)出明顯優(yōu)勢(shì)。我們的應(yīng)用指導(dǎo)將幫助客戶(hù)更好地使用云鎵的GaN器件，更大限度去挖掘云鎵的 -
應(yīng)用指導(dǎo) | CGAN005: GaN FET SPICE model simulation2025-11-11 13:44
云鎵半導(dǎo)體應(yīng)用指導(dǎo)CGAN005:GaNFETSPICEmodel&simulation1.前言眾所周知，GaN功率器件具有傳統(tǒng)功率器件無(wú)可比擬的性能優(yōu)勢(shì)，如大幅提升的開(kāi)關(guān)速度和顯著降低的開(kāi)關(guān)損耗，從而提供更優(yōu)的整體效率，這使得GaN器件在高頻、高效率的應(yīng)用中展現(xiàn)出明顯優(yōu)勢(shì)。我們的應(yīng)用指導(dǎo)將幫助客戶(hù)更好地使用云鎵的GaN器件，更大限度去挖掘云鎵的GaN器件的 -
雙向創(chuàng)“芯” — 云鎵半導(dǎo)體國(guó)內(nèi)首發(fā)高壓 GaN 雙向器件 （GaN BDS）2025-11-11 13:43
云鎵半導(dǎo)體雙向創(chuàng)“芯”—云鎵半導(dǎo)體國(guó)內(nèi)首發(fā)高壓GaN雙向器件MBDS1.前言長(zhǎng)期以來(lái)，器件工程師都在追求一種可雙向?qū)ㄇ译p向耐壓的開(kāi)關(guān)元件，該類(lèi)器件在AC/DC、DC/AC及AC/AC變換的應(yīng)用場(chǎng)景中廣泛應(yīng)用。典型拓?fù)溆须p開(kāi)關(guān)有源橋拓?fù)?、Cyclo-converter、Vienna整流器、MatrixConverter等，此類(lèi)拓?fù)湓跀?shù)據(jù)中心、光伏微逆、車(chē)載充 -
云鎵半導(dǎo)體發(fā)布 3kW 無(wú)橋圖騰柱 GaN PFC 評(píng)估板2025-11-11 13:43
云鎵半導(dǎo)體云鎵半導(dǎo)體發(fā)布3kW無(wú)橋圖騰柱GaNPFC評(píng)估板GaN-based3kWbridgelesstotem-polePFC1.前言本技術(shù)文檔將重點(diǎn)介紹基于云鎵半導(dǎo)體650VGaN器件的3kW無(wú)橋圖騰柱PFC(BTP-PFC)評(píng)估板。對(duì)于服務(wù)器電源/通信電源/移動(dòng)儲(chǔ)能等產(chǎn)品設(shè)計(jì)有借鑒意義。2.云鎵GaN參數(shù)優(yōu)勢(shì)傳統(tǒng)PFC電路基于整流橋和boost拓?fù)錁?gòu)成 -
樂(lè)高化組裝，一鍵式測(cè)試 | 云鎵GaN自動(dòng)化雙脈沖測(cè)試平臺(tái)2025-11-11 11:47
云鎵半導(dǎo)體樂(lè)高化組裝，一鍵式測(cè)試|云鎵GaN自動(dòng)化雙脈沖測(cè)試平臺(tái)作為一種新型開(kāi)關(guān)器件，GaN功率器件擁有開(kāi)關(guān)速度快、開(kāi)關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)前不同GaN工藝平臺(tái)下器件行為表現(xiàn)差異較大，且GaN器件的靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性存在較大不同，傳統(tǒng)的靜態(tài)測(cè)試表征不足以反映器件在實(shí)際工作中的動(dòng)態(tài)行為，如何全面評(píng)估GaN器件的動(dòng)態(tài)表現(xiàn)對(duì)于系統(tǒng)應(yīng)用意義重大。云鎵半導(dǎo)體具有多年的Ga