GaN

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全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) 數(shù)據(jù)手冊(cè)

gan技術(shù)

氮化鎵（GaN）作為一種第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借其高電子遷移率和高擊穿電場(chǎng)等優(yōu)異特性，已在5G通信基站、數(shù)據(jù)中心電源及消費(fèi)電子快充等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)...

2026-01-14 標(biāo)簽：封裝技術(shù)氮化鎵 GaN 2k 0

芯導(dǎo)科技GaN器件的發(fā)展與演進(jìn)

在文章"提升開(kāi)關(guān)頻率（一）芯導(dǎo)科技MOSFET工藝結(jié)構(gòu)的發(fā)展與演進(jìn)"中，我們介紹了芯導(dǎo)科技MOSFET產(chǎn)品針對(duì)高頻需求的工藝發(fā)展路線。

2026-01-14 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 芯導(dǎo)科技 1k 0

橢偏儀在半導(dǎo)體的應(yīng)用|不同厚度m-AlN與GaN薄膜的結(jié)構(gòu)與光學(xué)性質(zhì)

Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體是紫外至可見(jiàn)光發(fā)光器件的關(guān)鍵材料。傳統(tǒng)c面取向材料因極化電場(chǎng)導(dǎo)致量子限制斯塔克效應(yīng)，降低發(fā)光效率。采用半極性（如m面）生長(zhǎng)可有效抑制該效...

2025-12-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體薄膜 GaN 3.7k 0

氮化鎵（GaN）vs 硅MOS vs SiC MOSFET性能全對(duì)比：300W快充應(yīng)用選型避坑手冊(cè)

在消費(fèi)電子快充領(lǐng)域，300W USB-C PD快充憑借適配筆記本、便攜式儲(chǔ)能、專業(yè)設(shè)備供電等多元需求，已成為市場(chǎng)增長(zhǎng)核心賽道。功率器件作為快充方案的“心...

2025-12-24 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)IC GaN SiC MOSFET 713 0

借助 TOLL GaN 突破太陽(yáng)能系統(tǒng)的界限

太陽(yáng)能系統(tǒng)的發(fā)展勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng)，光伏逆變器的性能是技術(shù)創(chuàng)新的核心。設(shè)計(jì)該項(xiàng)光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽(yáng)能。其中一項(xiàng)創(chuàng)新涉及使用氮化鎵 (GaN)。...

2025-12-11 標(biāo)簽：GaN 光伏逆變器太陽(yáng)能系統(tǒng) 4.4k 0

解析GaN與SiC在太陽(yáng)能逆變器中的應(yīng)用方案

光伏發(fā)電（PV）是一種將陽(yáng)光轉(zhuǎn)化為電能的技術(shù)，這個(gè)過(guò)程涉及使用太陽(yáng)能電池來(lái)捕獲太陽(yáng)能并將其轉(zhuǎn)化為可用的電力；然后，使用逆變器將太陽(yáng)能電池產(chǎn)生的電力從直流...

2025-12-10 標(biāo)簽：太陽(yáng)能逆變器 SiC 4.3k 0

超越防護(hù)：離子捕捉劑如何在寬禁帶半導(dǎo)體封裝中扮演更關(guān)鍵角色？

隨著碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體走向普及，其封裝材料面臨更高溫度、更高電壓的極端考驗(yàn)。傳統(tǒng)的離子防護(hù)理念亟待升級(jí)。本文將探討在此背景...

2025-12-08 標(biāo)簽：SiC IC封裝 GaN 576 0

絕緣與散熱：立山科學(xué)TWT系列在高壓高功率環(huán)境下的表現(xiàn)

作為日本立山科學(xué)株式會(huì)社的官方代理，深圳市智美行科技深知高壓、高功率密度應(yīng)用對(duì)溫度傳感器提出了雙重挑戰(zhàn)：可靠的電氣隔離與高效的熱傳導(dǎo)。本文將深入探討TW...

2025-12-04 標(biāo)簽：NTC SiC GaN 352 0

安森美垂直GaN技術(shù)賦能功率器件應(yīng)用未來(lái)

在傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)的GaN器件中，電流沿芯片表面流動(dòng)。而垂直 GaN 的 GaN 層生長(zhǎng)在氮化鎵襯底上，其獨(dú)特結(jié)構(gòu)使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在...

2025-12-04 標(biāo)簽：安森美功率器件 GaN 1.8k 0

LMG3410R070RWHR 高性能 GaN 功率器件

LMG3410R070RWHR高性能GaN功率器件產(chǎn)品型號(hào)：LMG3410R070RWHR產(chǎn)品品牌：TI/德州儀器產(chǎn)品封裝：VQFN32產(chǎn)品功能：高性能...

2025-11-29 標(biāo)簽：功率器件 GaN 249 0

gan帖子

雙向氮化鎵應(yīng)用場(chǎng)景PFC部分云鎵云鎵半導(dǎo)體發(fā)布 2kW 雙向開(kāi)關(guān) (GaN BDS) 前置升壓 APFC 評(píng)估板

標(biāo)簽：PFC 氮化鎵 GaN 4859 0

《電子發(fā)燒友電子設(shè)計(jì)周報(bào)》聚焦硬科技領(lǐng)域核心價(jià)值第14期：2025.06.2--2025.06.6

標(biāo)簽：GaN Qorvo 5G-A 1748 0

STDRIVEG600驅(qū)動(dòng)GAN逆變器,在某一拍出現(xiàn)控制信號(hào)丟失，導(dǎo)致電機(jī)電流跌落的原因？

標(biāo)簽：逆變器 GaN 8569 1

基于GaN HEMT的半橋LLC優(yōu)化設(shè)計(jì)和損耗分析

標(biāo)簽：GaN LLC 1652 0

基于VIPerGaN50和STUSB4761的45W QR USB PD適配器參考設(shè)計(jì)

標(biāo)簽：適配器 GaN 699 0

ST GaN產(chǎn)品創(chuàng)新型快速充電器解決方案

標(biāo)簽：GaN 快速充電器 769 0

STDRIVEG600 GaN半橋驅(qū)動(dòng)器

標(biāo)簽：GaN 半橋驅(qū)動(dòng)器 919 0

電機(jī)控制和電源管理的基準(zhǔn)效率

標(biāo)簽：GaN 1876 0

GaN器件在Class D上的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

標(biāo)簽：GaN 2275 0

突破氮化鎵功率半導(dǎo)體的速度限制

標(biāo)簽：GaN 功率半導(dǎo)體 1851 0

gan資料下載

GAN041-650WSB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書立即下載

類別：電子資料 2025-02-13 標(biāo)簽：FET 氮化鎵 GaN 448 0

GAN039-650NBB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書立即下載

類別：電子資料 2025-02-13 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 390 0

GANE3R9-150QBA氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書立即下載

類別：電子資料 2025-02-12 標(biāo)簽：FET 氮化鎵 GaN 290 0

GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半導(dǎo)體立即下載

類別：電子資料 2025-01-24 標(biāo)簽：GaN 功率半導(dǎo)體 226 0

變速電機(jī)驅(qū)動(dòng)器受益于集成GaN立即下載

類別：電子資料 2025-01-24 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 GaN 變速電機(jī) 260 0

新一代GaN器件,滿足AI服務(wù)器電源需求立即下載

類別：電子資料 2025-01-24 標(biāo)簽：服務(wù)器 AI GaN 442 0

用于高頻、大功率工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的GaN功率IC創(chuàng)新立即下載

類別：電子資料 2025-01-24 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動(dòng)高頻 GaN 373 0

電動(dòng)汽車的SiC演變和GaN革命立即下載

類別：電子資料 2025-01-24 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 SiC GaN 319 1

利用GaN HEMTs降低電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的系統(tǒng)成本立即下載

類別：電子資料 2025-01-23 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動(dòng)GaN 178 0

GaN半橋功率IC和AHB/圖騰柱拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)效率高達(dá)95.5%的240W、150cc PD3.1解決方案立即下載

類別：電子資料 2025-01-22 標(biāo)簽：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)GaN AHB 897 0

gan資訊

聯(lián)想moto X70 Air Pro應(yīng)用芯導(dǎo)科技40V雙向GaN產(chǎn)品

近日，聯(lián)想正式發(fā)布了旗下當(dāng)前周期內(nèi)規(guī)格最高的直板機(jī)型聯(lián)想 moto X70 Air Pro，堪稱一款“輕薄機(jī)身下的六邊形戰(zhàn)士”。這款產(chǎn)品選用芯導(dǎo)科技40...

2026-01-26 標(biāo)簽：聯(lián)想功率器件 GaN 493 0

為什么說(shuō)氮化鎵是快充領(lǐng)域顛覆者

自從氮化鎵（GaN）器件問(wèn)世以來(lái)，憑借其相較于傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體的多項(xiàng)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)，GaN 被廣泛認(rèn)為是快速充電與工業(yè)電源應(yīng)用領(lǐng)域中的變革性技術(shù)。

2026-01-24 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 快充 508 0

高頻交直流探頭與光隔離探頭在SiC/GaN測(cè)試中的性能對(duì)比與應(yīng)用選擇

本文對(duì)比分析了高頻交直流探頭與光隔離探頭在技術(shù)原理、性能參數(shù)及應(yīng)用場(chǎng)景上的差異，為SiC/GaN器件測(cè)試提供選型參考。

2026-01-16 標(biāo)簽：探頭 GaN 光隔離 76 0

新品 | 第五代氮化鎵CoolGaN? 650V G5雙通道晶體管

新品第五代氮化鎵CoolGaN650VG5雙通道晶體管第五代氮化鎵CoolGaN650VG5雙通道晶體管將半橋功率級(jí)集成于小型6×8mmQFN-32封裝...

2026-01-15 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵 GaN 1.7k 0

E-mode GaN助力4.5kW對(duì)稱半橋LLC諧振變換器突破99%最高效率

云鎵半導(dǎo)體650VE-modeGaN的應(yīng)用1.背景隨著AI大數(shù)據(jù)模型的興起，對(duì)高效率、高功率密度的電源需求逐步加強(qiáng)。世界能源短缺的加劇導(dǎo)致了其他領(lǐng)域?qū)﹄?..

2026-01-13 標(biāo)簽：GaN LLC 諧振變換器 591 0

德州儀器解讀未來(lái)能源中的半導(dǎo)體創(chuàng)新

能源變革催生并激發(fā)更智能高效的電網(wǎng)和能源系統(tǒng)，并將電力架構(gòu)推向下一個(gè)階段。德州儀器始終站在技術(shù)創(chuàng)新前沿，以先進(jìn)的半導(dǎo)體解決方案推動(dòng)能源基礎(chǔ)設(shè)施的智能化升...

2026-01-08 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體能源 394 0

高頻單通道低側(cè)增強(qiáng)型GaN FET驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用與使用參數(shù)

概述： PC1001 是一款單通道高速驅(qū)動(dòng)器，具有 5V 輸出和專用增強(qiáng)型氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）驅(qū)動(dòng)功能。PC1001 可提供非對(duì)稱峰值...

2025-12-30 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 GaN 292 0

意法半導(dǎo)體斬獲2025行家極光獎(jiǎng)兩項(xiàng)大獎(jiǎng)

??????2025年12月3-4日，由“行家說(shuō)三代半”主辦的“碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇暨極光獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮”在深圳圓滿落幕。意法半導(dǎo)體（ST）受...

2025-12-28 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器意法半導(dǎo)體 GaN 397 0

安森美創(chuàng)新方案助力AI數(shù)據(jù)中心提升能效

人工智能 (AI) 正在迅速發(fā)展，并滲透到我們?nèi)粘Ｉ畹姆椒矫婷?，從?nèi)容生成到客服聊天機(jī)器人皆是如此。與此同時(shí)，數(shù)據(jù)處理量大幅激增，而數(shù)據(jù)處理很大程度上...

2025-12-26 標(biāo)簽：安森美 gpu SiC 560 0

6.6kW GaN OBC來(lái)襲！聯(lián)合動(dòng)力攜手英諾賽科，有何殺手锏重塑車充新標(biāo)桿？

近日，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體廠商英諾賽科再傳好消息。12月9日，中國(guó)智能電動(dòng)汽車部件及解決方案提供商蘇州匯川聯(lián)合動(dòng)力系統(tǒng)股份有限公司與英諾賽科，共同宣布采用65...

2025-12-24 標(biāo)簽：GaN 英諾賽科車載OBC 8.3k 0

gan數(shù)據(jù)手冊(cè)

型號(hào)	描述	數(shù)據(jù)手冊(cè)	參考價(jià)格
GS61008P-MR	增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM		獲取價(jià)格

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藍(lán)牙5

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藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來(lái)?yè)碛懈斓膫鬏斔俣?，更遠(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開(kāi)發(fā)人員稱，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
Qorvo

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5G手機(jī)

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5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對(duì)4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對(duì)4G手機(jī)，5G手機(jī)有更快的傳輸速度，低時(shí)延，通過(guò)網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準(zhǔn)的定位。
TWS

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自iphone7取消3.5mm插孔后藍(lán)牙耳機(jī)市場(chǎng)得到迅猛發(fā)展，藍(lán)牙耳機(jī)種類也層出不窮，TWS藍(lán)牙耳機(jī)兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無(wú)線藍(lán)牙耳機(jī)開(kāi)始大行其道。
智慧家庭

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智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實(shí)現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛(ài)的家庭生活方式。
智能工業(yè)

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　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類終端、基于泛在技術(shù)的計(jì)算模式、移動(dòng)通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個(gè)環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
Keysight

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是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測(cè)量公司，通過(guò)在無(wú)線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測(cè)量體驗(yàn)。
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無(wú)線收發(fā)模塊

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無(wú)線收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控（GFSK）收發(fā)電路的功能，以特小體積更低成本實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ?。JF24D的傳輸速率為1M，具有81個(gè)通道可任意設(shè)置而互不干擾?？稍趽頂D的ISM 頻段中達(dá)到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
太赫茲

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太赫茲是一種新的、有很多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個(gè)非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國(guó)家安全提供了一個(gè)非常誘人的機(jī)遇可能引發(fā)科學(xué)技術(shù)的革命性發(fā)展。
三星公司

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三星集團(tuán)是韓國(guó)最大的企業(yè)集團(tuán)，包括85個(gè)下屬公司及若干其他法人機(jī)構(gòu)，在近70個(gè)國(guó)家和地區(qū)建立了近300個(gè)法人及辦事處，員工總數(shù)20余萬(wàn)人，業(yè)務(wù)涉及電子、金融、機(jī)械、化學(xué)等眾多領(lǐng)域。
藍(lán)牙5.0

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藍(lán)牙5.0是由藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍(lán)牙技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，藍(lán)牙5.0針對(duì)低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍(lán)牙5.0結(jié)合wifi對(duì)室內(nèi)位置進(jìn)行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
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樂(lè)鑫

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樂(lè)鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進(jìn)、專業(yè)的無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計(jì)低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級(jí)芯片，提供移動(dòng)通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
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WiGig（Wireless Gigabit，無(wú)線千兆比特）是一種更快的短距離無(wú)線技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
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LoRaWAN基于LoRa遠(yuǎn)距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來(lái)說(shuō)LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
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5G毫米波

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5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項(xiàng)重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長(zhǎng)為1毫米到10毫米，波動(dòng)頻率為30GHz-300GHz。相對(duì)于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時(shí)延和靈活彈性空口配置等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，可滿足未來(lái)無(wú)線通信對(duì)系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
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射頻元件

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無(wú)線設(shè)備

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無(wú)線設(shè)備一般指無(wú)線電通信設(shè)備艦艇上利用無(wú)線電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對(duì)外通信，是進(jìn)行遠(yuǎn)距離通信的唯一手段。由發(fā)信機(jī)、收信機(jī)、天線、饋線和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
LoRa技術(shù)

LoRa技術(shù)

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LoRa是一種線性調(diào)頻擴(kuò)頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱為遠(yuǎn)距離無(wú)線電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠(yuǎn)、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢(shì)特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個(gè)垂直行業(yè)中。
LTE-Advanced

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超外差接收機(jī)

超外差接收機(jī)

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　　超外差接收機(jī)是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號(hào)混頻，將輸入信號(hào)頻率變換為某個(gè)預(yù)先確定的頻率的方法。
藍(lán)牙m(xù)esh

藍(lán)牙m(xù)esh

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藍(lán)牙Mesh是基于ble廣播進(jìn)行消息傳遞的一種藍(lán)牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無(wú)中心、無(wú)路由的對(duì)等網(wǎng)絡(luò)。以實(shí)現(xiàn)藍(lán)牙設(shè)備與藍(lán)牙設(shè)備之間的多對(duì)多通訊，使藍(lán)牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢(shì)。
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　hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺(tái)網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡(jiǎn)稱。英文全稱為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。

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