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標簽 > GaN
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英飛凌進軍車規(guī)級GaN,適用48V系統(tǒng)
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 ?近日,英飛凌推出首款符合 AEC-Q101 標準的 100V CoolGaN?汽車晶體管系列,并已經(jīng)開始提供符合AEC-Q101...
納芯微柵極驅(qū)動器NSD2017在激光雷達應用中PCB設計的注意點
激光雷達(Lidar)是一種用于精確測距的激光探測技術(shù)。柵極驅(qū)動器與GaN器件在最大化激光器發(fā)射能力上起到重要作用,為激光雷達帶來更高的分辨率。NSD2...
EVLMG4LPWRBR1 GaN功率模塊技術(shù)解析與應用指南
STMicroelectronics EVLMG4LPWRBR1基于GaN的半橋電源模塊配有MASTERGAN4L,其可快速創(chuàng)建拓撲,無需完整的PCB設...
?基于MASTERGAN1L的GaN半橋電源模塊技術(shù)解析與應用指南
STMicroelectronics EVLMG1LPBRDR1基于GaN的半橋電源模塊配有MASTERGAN1L,其可快速創(chuàng)建拓撲,無需完整的PCB設...
STDRIVEG611半橋柵極驅(qū)動器技術(shù)解析與應用指南
STMicroelectronics STDRIVEG611半橋柵極驅(qū)動器是用于N溝道增強模式GaN的高壓半橋柵極驅(qū)動器。高側(cè)驅(qū)動器部分設計能夠承受高達...
analog devices方案:在LTspice仿真中使用GaN FET模型
近年來,工業(yè)電源市場對氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性,能夠在較高開關(guān)頻率...
?STDRIVEG211半橋柵極驅(qū)動器深度解析與設計指南
STMicroelectronics STDRIVEG211半橋柵極驅(qū)動器設計用于N溝道增強模式GaN,高側(cè)驅(qū)動器部分可承受高達220V電壓軌。這些驅(qū)...
?STDRIVEG210半橋柵極驅(qū)動器技術(shù)解析與應用指南
STMicroelectronics STDRIVEG210半橋柵極驅(qū)動器設計用于N溝道增強模式GaN,高側(cè)驅(qū)動器部分可承受高達220V電壓軌。這些驅(qū)...
PI技術(shù)白皮書 1250V/1700V PowiGaN HEMT在800VDC AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)中的應用
白皮書?闡釋了Power Integrations業(yè)界首款1250V PowiGaN HEMT的性能優(yōu)勢,展示了其經(jīng)過實際應用驗證的可靠性以及滿足800...
2025-10-14 標簽:PI數(shù)據(jù)中心SiC 431 0
GaN半橋功率IC和AHB/圖騰柱拓撲結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)效率高達95.5%的240W、150cc PD3.1解決方案立即下載
類別:電子資料 2025-01-22 標簽:拓撲結(jié)構(gòu)GaNAHB 719 0
英飛凌進軍車規(guī)級GaN,適用48V系統(tǒng)
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 ?近日,英飛凌推出首款符合 AEC-Q101 標準的 100V CoolGaN?汽車晶體管系列,并已經(jīng)開始提供符合AEC-Q101...
新型功率半導體決勝關(guān)鍵:智威科技憑超高散熱封裝GaN氮化鎵脫穎而出
化合物半導體(Compound Semiconductor,SiC/GaN)憑借優(yōu)越節(jié)能效果,已成為未來功率半導體發(fā)展焦點,預期今后幾年年復合成長率(C...
自從氮化鎵(GaN)器件問世以來,憑借其相較于傳統(tǒng)硅基半導體的多項關(guān)鍵優(yōu)勢,GaN 被廣泛認為是快速充電與工業(yè)電源應用領(lǐng)域中的變革性技術(shù)。
2025-10-21 標簽:氮化鎵GaN電源系統(tǒng) 687 0
SiC+GaN成核心!一文匯總英偉達800V HVDC認證廠商解決方案
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)AI芯片的功率在算力需求迭代的基礎上,不斷提高,短短幾年間,英偉達的GPU從A100單個TDP 為300W(40GB)和4...
Power Integrations發(fā)布新技術(shù)白皮書,深度解讀適用于下一代800VDC AI 數(shù)據(jù)中心的1250V和1700V PowiGaN技術(shù)
該公司正在與英偉達(NVIDIA)合作開發(fā)800VDC供電架構(gòu);新發(fā)布的白皮書剖析了1250V PowiGaN技術(shù)相較于650V GaN和1200V S...
納芯微與聯(lián)合電子、英諾賽科簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
近日,蘇州納芯微電子股份有限公司(以下簡稱:納芯微)、聯(lián)合汽車電子有限公司(以下簡稱:聯(lián)合電子)與英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(以下簡稱:英諾賽科)...
近日,亞洲電力電子領(lǐng)域年度盛會 ——PCIM Asia Shanghai 2025,在上海新國際博覽中心盛大啟幕。
用專為硅 MOSFET 設計的控制器來驅(qū)動 GaN FET
作者: Pete Bartolik 工具 在電力應用中,氮化鎵 (GaN) 器件比傳統(tǒng)硅 MOSFET 器件具有顯著的性能和效率優(yōu)勢。氮化鎵器件能夠滿足...
? ? ? ?在高壓功率電子領(lǐng)域,硅基氮化鎵(GaN-on-Si)肖特基勢壘二極管(SBD)因其優(yōu)異的性能與成本優(yōu)勢展現(xiàn)出巨大潛力。然而,Si與GaN材...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)在智能化時代,電機應用需求走向高效率、高功率密度、快動態(tài)響應。而GaN功率芯片具備低開關(guān)損耗、高頻等特性,在電機應用中,低...
| 型號 | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | 參考價格 |
|---|---|---|---|
| GS61008P-MR | 增強型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM |
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