WFDN320380-P41 型芯片是一款性能優(yōu)良的 32～38GHz 高功率放大器，使用 0.15um 柵長(zhǎng)的氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)工藝制造而成。該芯片通過(guò)背面金屬經(jīng)通孔接地。所有芯片產(chǎn)品全部經(jīng) 100%射頻測(cè)量。WFDN320380-P41 型芯片為雙電源工作，漏極電壓Vds=24V 可在 32～38 GHz 內(nèi)提供 41dBm 的輸出功率。該芯片主要用于毫米波收發(fā)組件、無(wú)線通訊等。
關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)
頻率：32～38 GHz
典型小信號(hào)增益：25dB
典型輸出功率：42dBm@24V
典型附加效率： 30%
工藝類型：0.15um HEMT 技術(shù)
偏置：24V，0.15A（10%）
使用條件：脈沖，連續(xù)被
外形尺寸：2.8mm×3.4mm×0.08mm
漏電壓 28V
漏電流 5A
柵電壓 -10V
柵電流 100mA
直流功耗 28W
輸入信號(hào)功率 28dBm
溝道工作溫度 225℃
燒結(jié)溫度 310℃ 1min，N2保護(hù)
存儲(chǔ)溫度 -55～150℃
壓點(diǎn)定義
RFin 射頻信號(hào)輸入端、外接 50 歐姆系統(tǒng)，如該壓點(diǎn)有外加的直流電，需隔直電容
RFout 射頻信號(hào)輸出端、外接 50 歐姆系統(tǒng)、無(wú)需隔直電容
VG 放大器柵極偏置，需外接 100pF、1000pF 電容
VD1、VD2、VD3 放大器漏極偏置，需外接 100pF、1000pF 電容
GND 芯片底部與射頻及直流地需良好接觸
