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標簽 > LDMOS
LDMOS(laterally-diffused metal-oxide semiconductor)是在高壓功率集成電路中常采用高壓LDMOS滿足耐高壓、實現(xiàn)功率控制等方面的要求,常用于射頻功率電路。
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MAX11008雙通道RF LDMOS偏置控制器,帶有非易失存儲器技術(shù)手冊
MAX11008控制器為蜂窩基站和其他無線基礎(chǔ)設(shè)備中的RF LDMOS功放提供偏壓。每個控制器包括增益可設(shè)置為2、10和25倍的高邊電流檢測放大器,用來...
LDMOS,全稱為Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor(側(cè)向雙擴散金屬氧化物半導體),是一...
LDMOS在ESD設(shè)計中的應(yīng)用設(shè)計思路
LDMOS屬于功率半導體器件,主要應(yīng)用于高壓場合。而針對高壓芯片的ESD防護領(lǐng)域,可采取GGNLDMOS的設(shè)計思路。
MAX1385/MAX1386封裝引腳圖 應(yīng)用電路圖及其特性概述
MAX1385/MAX1386封裝引腳圖 應(yīng)用電路圖及其特性概述 MAX1385是一款高性能、低功耗的模擬放大器,可以用于各種應(yīng)用,如汽車音頻、家庭影院...
高功率寬帶放大器應(yīng)該如何設(shè)計?如何選取合適的寬帶放大器?
高功率寬帶放大器的設(shè)計是一件非常有挑戰(zhàn)性的工作,工程師需要在多個相互對立的設(shè)計參數(shù)之間進行折中。對于一個放大器用戶來說,不論是初始投資還是以后的運行成本...
蜂窩放大器解決方案有許多不同的需求,例如不同的頻段和不同的功率水平。本研討會將討論恩智浦針對不同應(yīng)用的不同射頻功率解決方案,包括PA的關(guān)健考慮點(從客戶...
LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)橫向擴散金屬氧化物半導體)是為900MHz蜂窩電...
2017-12-08 標簽:ldmos 6.8萬 0
BLL9G1214L-600/BLL9G1214LS-600 LDMOS L波段雷達功率晶體管數(shù)據(jù)表立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-07-22 標簽:晶體管LDMOS 118 0
BLL9G1214L-600/BLL9G1214LS-600雷達功率晶體管數(shù)據(jù)表立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-07-22 標簽:雷達LDMOS功率晶體管 187 0
MRF300AN/MRF300BN射頻功率LDMOS晶體管規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2023-07-28 標簽:晶體管射頻功率LDMOS 340 0
BLM9D3842 16AM規(guī)格書 詳細參數(shù)資料立即下載
類別:IC datasheet pdf 2023-06-15 標簽:LDMOSMMIC 279 0
華太電子全新推出的 HTM9GO9S015P 和 H9G3438M15P 兩款 LDMOS 放大器,分別覆蓋 1.8 - 950 MHz 和 3.4 -...
隨著工業(yè)射頻電源、粒子加速器、醫(yī)療影像、射頻加熱等領(lǐng)域的快速發(fā)展,射頻功率放大器正面臨前所未有的技術(shù)挑戰(zhàn)。大功率、高效率、高可靠性已成為射頻功放器件發(fā)展...
羅徹斯特為Ampleon的ICN8系列LDMOS射頻功率晶體管延長市場壽命
羅徹斯特電子與Ampleon合作 支持授權(quán)解決方案 Ampleon創(chuàng)辦于2015年,前身是NXP的射頻功率業(yè)務(wù)部門,在射頻功率領(lǐng)域擁有50多年的領(lǐng)導地位...
江西薩瑞微獨家研發(fā)【一種LDMOS場效應(yīng)管及其制備方法】
一種LDMOS場效應(yīng)管及其制備方法本發(fā)明涉及半導體器件設(shè)計領(lǐng)域,具體涉及一種LDMOS場效應(yīng)管及其制備方法。在當前半導體行業(yè)競爭日趨激烈的背景下,LDM...
LDMOS場效應(yīng)管,即橫向擴散金屬氧化物半導體器件。隨著對擊穿電壓要求的提高,對LDMOS場效應(yīng)管中場板要求也高。
2024-03-06 標簽:場效應(yīng)管LDMOS 1006 0
5G功放技術(shù)戰(zhàn)-GaN和LDMOS各擅勝場
來源:RF技術(shù)社區(qū) 5G的快速部署,使得在基站中大量使用的功率放大器(PA,簡稱功放)芯片及其他射頻組件的需求持續(xù)增長,成為各家射頻公司爭奪的焦點。 在...
到2025年,整個GaN RF市場將從2019年的7.4億美元增長到超過20億美元
報告指出,自 20 年前首款商用產(chǎn)品問世以來,GaN 技術(shù)已成為 LDMOS 和 GaAs 在 RF PA 市場中的重要競爭對手。憑借其在 4G LTE...
“現(xiàn)在正處于從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時間窗口,但只有三年?!蹦苡嵃雽w總經(jīng)理任勉表示,在氮化鎵領(lǐng)域耕耘十二年,能訊半導體迎來關(guān)鍵時間節(jié)點,抓住5G基站建...
Ampleon為HF、VHF和ISM應(yīng)用提供LDMOS RF功率晶體管
Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料(overmoulded plastic, OMP) RF功率晶體管產(chǎn)品組合,采用眾所周知的非常穩(wěn)固LDMOS技術(shù)。
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