ADRF5730BCCZN是一款硅、6 位數(shù)字衰減器，以 0.5 dB 步長提供 31.5 dB 的衰減控制范圍。
該器件的工作頻率范圍為 100 MHz 至 40 GHz，提供優(yōu)于 4.8 dB 的插入損耗和出色的衰減精度。在所有狀態(tài)下，ADRF5730 具有 27 dBm（平均值）和 30 dBm（峰值）的射頻(RF)輸入功率處理能力。
ADRF5730 需要 +3.3 V 和 ?3.3 V 雙電源電壓供電。該器件具有串行外設接口(SPI)、并行模式控制和互補金屬氧化物半導體(CMOS)/低壓晶體管對晶體管邏輯(LVTTL)兼容控制特性。
ADRF5730與ADRF5720引腳兼容，低頻截止版本，工作頻率范圍為 9 kHz 至 40 GHz。
ADRF5730 RF 端口設計用于匹配 50 Ω 的特征阻抗。對于寬帶應用，RF 傳輸線路上的阻抗匹配可以進一步優(yōu)化高頻插入損耗、回波損耗和衰減精度特性。
ADRF5730 采用符合 RoHS 標準的 24 引腳、4 mm × 4 mm、基板柵格陣列(LGA)封裝，工作溫度范圍為 ?40°C 至 +105°C。
超寬帶頻率范圍：100 MHz至 40 GHz
衰減范圍：0.5 dB 步進至 31.5 dB
具有阻抗匹配的低插入損耗
2.1 dB，最高為 18 GHz
2.9 dB，最高為 26 GHz
4.8 dB，最高為 40 GHz
具有阻抗匹配的衰減精度
±（0.10+1.0% 的衰減狀態(tài)），最高 18 GHz
±（0.15+0.8% 的衰減狀態(tài)），最高 26 GHz
±（0.35+2.5% 的衰減狀態(tài)），最高 40 GHz
具有阻抗匹配的典型步進誤差
± 0.18 dB，最高為 18 GHz
± 0.23 dB，最高為 26 GHz
± 0.51 dB，最高為 40 GHz
高輸入線性度
P0.1dB 插入損耗狀態(tài)：30 dBm
P0.1dB 其他衰減狀態(tài)：27 dBm
IP3：50 dBm（典型值）
高RF輸入功率處理：27 dBm 平均值，30 dBm 峰值
相對相位中的緊湊分布
無低頻開關雜散
SPI 和并行模式控制，CMOS / LVTTL 兼容
RF建立時間（0.1 dB 最終 RF 輸出）：250 ns
24 引腳、4 mm × 4 mm LGA 封裝
與 ADRF5720 引腳兼容，低頻截止版本
應用
工業(yè)掃描儀
測試和儀器儀表
蜂窩基礎設施：5G毫米波
軍用無線電、雷達、電子對抗(ECM)
微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT)
ADRF5473 HMC8073LP3DE
ADH939S HMC1122LP4ME
ADH941S HMC273AMS10GE
ADRF5740BCCZN HMC539ALP3E
ADRF5720BCCZN HMC802ALP3E
ADRF5721BCCZN HMC305SLP4E
ADRF5730BCCZN HMC540SLP3E
ADRF5731BCCZN HMC306AMS10E
HMC425ALP3E HMC1095LP4E
HMC1018ALP4E HMC792ALP4E
HMC1019ALP4E HMC468ALP3E
HMC291SE HMC472ALP4E
HMC1119LP4ME HMC542BLP4E
HMC939A HMC624ALP4E
HMC939ALP4E HMC759LP3E
HMC941A HMC424A
HMC941ALP4E HMC424AG16
HMC470ALP3E HMC424ALH5
HMC629ALP4E HMC424ALP3E
