CMPA0060002F1高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree 晶體管

型號(hào)： CMPA0060002F1

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

增益 17 dB 小信號(hào)增益
PSAT 3 W 典型 PSAT
工作電壓 28 V
操作高溫操作
電壓高擊穿電壓

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CMPA0060002 是一種基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導(dǎo)率。與 Si 和 GaAs 晶體管相比，GaN HEMT 還提供更高的功率密度和更寬的帶寬。該 MMIC 采用分布式（行波）放大器設(shè)計(jì)方法；可以在很小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)極寬的帶寬。提供裸片和帶有銅鎢散熱器的旋入式封裝。

特征
17 dB 小信號(hào)增益
3 W 典型 PSAT
工作電壓高達(dá) 28 V
高擊穿電壓
高溫操作

應(yīng)用
超寬帶放大器
光纖驅(qū)動(dòng)器
測(cè)試儀器
EMC 放大器驅(qū)動(dòng)器

CMPA0530002S
CMPA0060002F1-AMP
CMPA0060002F1
CMPA0060002F-AMP
CMPA0060002F
CMPA0060002D
CMPA0527005F
CMPA0527005F-AMP1
CGHV1F006S-AMP3
CGHV1F006S-AMP1
CGHV1F006S
CGH40006S-AMP1
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CGH40006S
CGH40006P
CGHV1J006D-GP4
CGH60008D-GP4
CG2H40010F-AMP
CGH40010F-AMP
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CG2H40010P
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