C2M0045170D為1700 V 分立碳化硅 MOSFET。為下一代電源轉(zhuǎn)換提供更快的開關(guān)和更高的可靠性。1700 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 可實現(xiàn)更小、更高效的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。與基于硅的解決方案相比；碳化硅技術(shù)可提高系統(tǒng)功率密度；更高的開關(guān)頻率；較小的設(shè)計；冷卻器組件；減小電感器等組件的尺寸；電容器；濾波器和變壓器；和總體成本效益。
優(yōu)點
? 更高的系統(tǒng)效率
? 平滑的開關(guān)波形
? 降低冷卻要求
? 最小門振鈴
? 提高系統(tǒng)可靠性
特征
? 高阻斷電壓和低 RDS(on)
? 易于并聯(lián)且易于驅(qū)動
? 低寄生電感
? 低阻抗封裝
? 獨立的驅(qū)動源引腳
? 超低漏柵電容
? 無鹵素，符合 RoHS 標準
? 具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管
? 漏極和源極之間的爬電距離寬 (~7mm)
應(yīng)用
? 輔助電源
? 開關(guān)模式電源
? 高壓容性負載
漏源電壓:1700V
柵極-源極電壓動態(tài):-10/+25V
柵極-源極電壓靜態(tài)：-5/+20V
脈沖漏極電流：15A
功耗：60W
工作結(jié)溫和存儲溫度:-55to+150?C
焊接溫度:260?C
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