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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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C3D02060E分立碳化硅肖特基二極管

型號: C3D02060E

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 漏源電壓 600V
  • 浪涌峰值反向電壓 600V
  • 直流阻斷電壓 600V
  • 二極管dV/dt耐用 200V/ns
  • 功耗 39.5W
  • 工作結(jié)溫和存儲溫度 -55to+175?C

--- 產(chǎn)品詳情 ---

C3D02060E為1200 V 分立碳化硅 MOSFETT。業(yè)內(nèi)最廣泛的 1200 V SiC MOSFET 產(chǎn)品組合。1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列經(jīng)過優(yōu)化,可用于 UPS 等大功率應(yīng)用;電機控制和驅(qū)動;開關(guān)電源;太陽能和儲能系統(tǒng);電動汽車充電;高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器;和更多。基于第三代技術(shù);各種各樣的導(dǎo)通電阻和封裝選項使設(shè)計人員能夠為他們的應(yīng)用選擇正確的部件。將的 1200 V 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET 配對,為要求苛刻的應(yīng)用創(chuàng)造了更高效率的強大組合。

C3D02060E

優(yōu)點
? 用單極整流器代替雙極
? 基本上沒有開關(guān)損耗
? 更高的效率
? 降低散熱器要求
? 沒有熱失控的并行器件


特征
? 600 伏肖特基整流器
? 針對 PFC 升壓二極管應(yīng)用進行了優(yōu)化
? 零反向恢復(fù)電流
? 零正向恢復(fù)電壓
? 高頻操作
? 與溫度無關(guān)的開關(guān)行為
? 極快的切換
? VF 上的正溫度系數(shù)


應(yīng)用
? 開關(guān)模式電源 (SMPS)
? PFC 或 DC/DC 級中的升壓二極管
? 逆變器級中的續(xù)流二極管
? AC/DC 轉(zhuǎn)換器

 

漏源電壓:600V
浪涌峰值反向電壓:600V
直流阻斷電壓:600V
功耗:39.5W
二極管 dV/dt 耐用性:200V/ns
工作結(jié)溫和存儲溫度:-55to+175?C


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