C6D08065Q為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標準，同時還達到更高的頻率和功率密度。SiC二極管可輕松并聯(lián)以滿足各種應用要求，而不用擔心熱失控。 結合降低冷卻要求并改善熱SiC產(chǎn)品的性能，SiC二極管能夠提供在各種不同的應用中降低整體系統(tǒng)成本。
好處
? 電氣隔離封裝
? 基本上沒有開關損耗
? 更高的效率
? 降低散熱器要求
? 沒有熱失控的并行器件
特征
? 低正向電壓（VF) 以正面下降
溫度系數(shù)
? 零反向恢復電流/正向
恢復電壓
? 與溫度無關的開關行為
? 低電感的薄型封裝
應用
? 企業(yè)電源、服務器和電信
電源
? 開關模式電源
? 工業(yè)電源
? 提升功率因數(shù)校正
? 自舉二極管
? LLC 鉗位
重復峰值反向電壓:650V
直流阻斷電壓：650V
連續(xù)正向電流：14-8A
功耗：83-36W
工作結溫和存儲溫度:-55to+175?C
外殼和存儲溫度：-55to+150?C
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