EPM3-1200-0017D1-R01是1200 V 汽車級(jí)裸片碳化硅 MOSFET – Gen 3。第 3 代系列 1200 V 碳化硅 MOSFET 針對(duì)高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。提供一系列 1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET，它們針對(duì)不間斷電源 (UPS) 等大功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化；電機(jī)驅(qū)動(dòng)器；開關(guān)電源；太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng)；電動(dòng)汽車充電；高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器；和更多?；谧钚碌牡谌夹g(shù)；1200 V 碳化硅 MOSFET 包括一系列導(dǎo)通電阻和封裝選項(xiàng)，使設(shè)計(jì)人員能夠?yàn)槠鋺?yīng)用選擇正確的部件。1200V MOSFET 專為超低 RDS(ON) 和增加的 CGS/CGD 比率而設(shè)計(jì)，以提高硬開關(guān)性能。軟開關(guān)應(yīng)用也可以從更線性的 COSS 行為中受益。將1200 V SiC 二極管與 SiC MOSFET 搭配使用，可在要求苛刻的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高效率的強(qiáng)大組合。從基于硅的解決方案轉(zhuǎn)向碳化硅所獲得的效率有助于減小系統(tǒng)尺寸；重量; 設(shè)計(jì)復(fù)雜性；大多數(shù)大功率應(yīng)用中的成本。一系列頂面和背面金屬化選項(xiàng)和芯片布局為模塊設(shè)計(jì)人員提供了選擇組裝工藝和模塊布局的靈活性。
好處
以更低的開關(guān)和傳導(dǎo)損耗提高系統(tǒng)效率
減小系統(tǒng)尺寸、重量和冷卻要求
實(shí)現(xiàn)高開關(guān)頻率操作
易于并行并與標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)兼容
特征
汽車合格
高阻斷電壓和業(yè)界領(lǐng)先的低 RDS(on) 過(guò)溫穩(wěn)定性
抗閉鎖
驅(qū)動(dòng)器的高柵極電阻
應(yīng)用
汽車傳動(dòng)系統(tǒng)
電機(jī)驅(qū)動(dòng)
固態(tài)斷路器
諧振拓?fù)?/p>
阻斷電壓:1200V
電阻：17hR
輸出電容：221pF
反向恢復(fù)電荷：1242nC
反向恢復(fù)時(shí)間 ：53納秒
最高結(jié)溫：175°C
相關(guān)型號(hào)
EPM3-1200-0017D1-R01 CPW2-0600-S010B
EPM3-1200-0017D-R01 CPW3-0650-S004B
CPM3-1200-0021A CPW2-0650-S006B
CPM2-1200-0025A CPW2-0650-S008B
CPM3-1200-0032A CPW2-0650-S010B
CPM2-1200-0040A CPW2-0650-S012B
CPM3-1200-0075A CPW2-0650-S016B
CPM2-1200-0080A CPW4-1200-S002B
CPM2-1200-0160A CPW4-1200-S005B
CPM3-1700-R020E CPW4-1200-S008B
CPW3-0600-S002B EPW4-1200-S010A
CPW3-0600-S003B CPW4-1200-S010B
CPW3-0600-S004B CPW4-1200-S015B
CPW2-0600-S006B EPW4-1200-S020A
CPW2-0600-S008B CPW4-1200-S020B
