CAB008M12GM3是HM 電源模塊系列。1200 V 半橋電源模塊占位面積專為超高功率密度而設(shè)計(jì)。其開發(fā)了 HM 功率模塊平臺(tái)，以在功率密度敏感的應(yīng)用中提供碳化硅 (SiC) 的優(yōu)勢；同時(shí)保持 62mm 模塊的底板兼容性。HM 平臺(tái)的碳化硅優(yōu)化封裝可實(shí)現(xiàn) 175°C 的連續(xù)結(jié)操作；具有高可靠性的氮化硅 (Si 3 N 4 ) 功率基板，可確保極端條件下的機(jī)械穩(wěn)健性和輕質(zhì) AlSiC 基板。HM3 非常適合要求苛刻的應(yīng)用，例如工業(yè)測試設(shè)備、醫(yī)療電源、航空航天和牽引驅(qū)動(dòng)。
系統(tǒng)優(yōu)勢
? 重量輕、外形緊湊，帶有 62 毫米兼容底板，可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)改造
? 由于 SiC 的低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗，提高了系統(tǒng)效率
? 高可靠性材料選擇
技術(shù)特點(diǎn)
? 低電感、薄型 62mm 占位面積
? 高結(jié)溫 (175 °C) 操作
? 實(shí)施開關(guān)優(yōu)化第三
一代 SiC MOSFET 技術(shù)
? 輕質(zhì)AlSiC基板
? 高可靠性氮化硅絕緣體
應(yīng)用
? 鐵路和牽引
? 太陽的
? 電動(dòng)汽車充電器
? 工業(yè)自動(dòng)化與測試
阻斷電壓:1200V
包裹：GM3
配置：半橋
電阻：8μJ
模塊尺寸：62.8 毫米 x 56.7 毫米
最高結(jié)溫：150°C
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