--- 產品參數 ---
- 操作頻率 2.5 – 2.7 GHz
- 典型輸出功率 30 W
- 增益 5 W PAVE 時 20 dB
- PAVE -34 dBc ACLR,5 W
- 5 W PAVE 時 30%
- 應用高度 APD 和 DPD 校正
--- 產品詳情 ---
CGHV27030S 是無與倫比的;氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT),提供高效率;高增益和寬帶寬能力。CGHV27030S GaN HEMT 器件非常適合頻率為 700-960 MHz 的電信應用;1200-1400 兆赫;1800-2200兆赫;2500-2700 兆赫;在 50 V 和 28 V 操作下為 3300-3700 MHz。CGHV27030S 也是工作在 20-2500 MHz 的戰(zhàn)術通信應用的理想選擇;包括陸地移動無線電。其他應用包括 L 波段雷達和 S 波段雷達。CGHV27030S 可以在 50 V 或 28 V 電壓軌下運行。晶體管尺寸為 3mm x 4mm;表面貼裝; 雙扁平無引線 (DFN) 封裝。

特征
2.5 – 2.7 GHz 操作
30 W 典型輸出功率
5 W PAVE 時 20 dB 增益
-34 dBc ACLR,5 W PAVE
5 W PAVE 時效率為 30%
可應用高度 APD 和 DPD 校正
應用
蜂窩基礎設施
戰(zhàn)術通訊
L波段雷達
S波段雷達
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