CGHV96050F1 是一種基于碳化硅 (SiC) 襯底的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與其他技術(shù)相比，這種 GaN 內(nèi)部匹配 (IM) FET 可提供出色的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導(dǎo)率。與 GaAs 晶體管相比，GaN HEMT 還提供更高的功率密度和更寬的帶寬。該 IM FET 采用金屬/陶瓷法蘭封裝，可實現(xiàn)最佳電氣和熱性能。
特征
7.9 – 8.4 GHz 操作
80 W POUT 典型值
>13 dB 功率增益
33 % 典型線性 PAE
50 歐姆內(nèi)部匹配
<0.1 dB 功率下降
應(yīng)用
衛(wèi)星通訊
地面寬帶
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