CMP5585030 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導(dǎo)率。與 Si 和 GaAs 晶體管相比，GaN HEMT 還提供更高的功率密度和更寬的帶寬。這個 MMIC 包含一個兩級；無功匹配放大器設(shè)計(jì)方法能夠?qū)崿F(xiàn)非常寬的帶寬。該 MMIC 可作為裸片和 10 引線金屬/陶瓷法蘭封裝提供，以實(shí)現(xiàn)最佳電氣和熱性能。
特征
30 dB 小信號增益
高達(dá) 50 W 的典型 PSAT
工作電壓高達(dá) 28 V
高擊穿電壓
高溫操作
應(yīng)用
點(diǎn)對點(diǎn)無線電
通訊
測試儀器
EMC 放大器驅(qū)動器
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