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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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GTRA412852FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

型號(hào): GTRA412852FC-V1

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 典型的脈沖連續(xù)波性能 960 – 1215 兆赫
  • 脈沖寬度 128 μs
  • 占空比 10%
  • P3dB輸出功率 1400 W
  • 效率 68%

--- 產(chǎn)品詳情 ---

描述
GTVA101K4 是一款專為高效設(shè)計(jì)的 GaN on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT);高增益和寬帶寬能力。這使得 GTVA101K4 非常適合 0.96 – 1.4 GHz 頻段的應(yīng)用。該晶體管可用于從 UHF 到 1.4 GHz 的特定頻段應(yīng)用。
 

GTRA412852FC-V1

 

 

特征
輸入匹配
典型的脈沖連續(xù)波性能;960 – 1215 兆赫;50伏;單面;128 μs 脈沖寬度;10% 占空比;P3dB = 1400 W 時(shí)的輸出功率;效率 = 68%;增益 = 17 分貝
無(wú)鉛且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

 

應(yīng)用
雷達(dá)放大器

 

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