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SIRA14DP-T1-GE3

制造商：Vishay

描述：MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8

Datasheet：

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey

器件參數

Function

  • 閾值電壓
    1.1 V
  • 配置
    Single
  • 通道數量
    1
  • 連續(xù)漏極電流
    58 A
  • 輸入偏置電容
    1.45 nF
  • 漏源電阻
    5.1 mΩ
  • 漏源電壓
    30 V
  • 漏源極擊穿電壓
    30 V
  • 漏源導通電阻
    5.1 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵極電荷@10V
    29 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    15 ns
  • 功率耗散
    3.6 W, 31.2 W
  • 關閉延遲時間
    18 ns
  • 元件數量
    1

Physical

  • 重量
    0.01787 oz
  • 觸點鍍層
    Tin
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    8
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數量
    1
  • 制造商封裝
    PowerPAKSO8

Compliance

  • 無鉛
    無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求
  • REACH SHVC Compliant
    Unknown

Dimension

  • 高度
    1.07 mm
  • 長度
    5.99 mm
  • 寬度
    5 mm
庫存量：0
預計交期：
數量
單價
總價(階梯最低數量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料