賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 5 月8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出其新一代TrenchFET^? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。這四款器件皆采用了新型高密度設(shè)計(jì)，在4.5V下導(dǎo)通電阻低至1.35mΩ，Miller電荷Q_gd低至1.8nC，采用PowerPAK^? SO-8和1212-8封裝。
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新款Vishay Siliconix TrenchFET IV在硅設(shè)計(jì)、晶圓加工和器件封裝上采用了多項(xiàng)技術(shù)改進(jìn)措施，為功率電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)者提供了諸多好處。與前一代器件相比，SiRA00DP的導(dǎo)通電阻與面積乘積減小了60%，在10V電壓下實(shí)現(xiàn)了1.0mΩ的極低R_DS(on)，4.5V下1.35mΩ的導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最佳水準(zhǔn)。對于設(shè)計(jì)者而言，MOSFET的低導(dǎo)通電阻可以實(shí)現(xiàn)更低的傳導(dǎo)損耗，減少功率損耗，達(dá)到更高的效率。 ?
TrenchFET Gen IV MOSFET采用了一種新型結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了非常高密度的設(shè)計(jì)，而沒有明顯增加?xùn)艠O電荷，克服了經(jīng)常在高晶格數(shù)量器件上出現(xiàn)的這個(gè)問題。今天發(fā)布的MOSFET的總柵極電荷較低，使得SiRA04DP在4.5V下導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積優(yōu)值系數(shù)(FOM)降至56nC-Ω。
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SiRA00DP、SiRA02DP和SiRA04DP可提高系統(tǒng)效率，降低溫度，采用6.15mm x 5.15mm PowerPAK^? SO-8封裝，SiSA04DN的效率與之相近，3.30mm x 3.30mm PowerPAK 1212-8封裝的面積只有前三款器件的1/3。今天發(fā)布的所有器件的Q_gd/Q_gs比值僅有0.5或更低。更低的比值可以降低柵極感應(yīng)電壓，有助于防止擊穿的發(fā)生。
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SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN適用于高功率密度DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、同步降壓轉(zhuǎn)換器和OR-ing應(yīng)用。典型終端產(chǎn)品包括開關(guān)電源、電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)、POL、通信磚式電源、PC和服務(wù)器。
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TrenchFET Gen IV經(jīng)過了100%的R_g和UIS測試。這些器件符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定和RoHS指令。
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?Vishay Siliconix是業(yè)內(nèi)首家引入Trench MOSFET的供應(yīng)商。該公司的TrenchFET知識產(chǎn)權(quán)包括大量專利，以及可追溯到20世紀(jì)80年代早期的基礎(chǔ)技術(shù)專利。每一代新的TrenchFET技術(shù)生產(chǎn)出來的產(chǎn)品都將各種計(jì)算、通信、消費(fèi)電子和其他應(yīng)用中功率MOSFET的性能指標(biāo)提高了相當(dāng)可觀的數(shù)值。