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      Infineon

      SKW07N120

      Fast IGBT in NPT-Technology with Soft, Fast Recovery Anti-Parallel EmCon Diode, PG-TO-247-3, Tube, Green

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      SKW07N120 器件參數(shù)

      Function

      • 集電極電流
        16.5 A
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓
        3.1 V
      • 集電極-發(fā)射極電壓
        1.2 kV
      • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
        1.2 kV
      • 配置
        Single
      • 柵極電荷
        70 nC
      • 晶體管類型
        NPT
      • 反向恢復(fù)時間
        60 ns
      • 功率耗散
        125 W
      • 上升時間
        31 ns

      Physical

      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        DIP
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        240
      • 制造商封裝
        TO-247-3

      Compliance

      • 無鹵素
        Not Halogen Free
      • REACH SHVC Compliant
        Unknown

      SKW07N120 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      SKW07N120 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • Rev. 2.2
        1年前
        Altium Library
      • INFNS27343-1.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip

      SKW07N120 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip