新唐科技N584L120簡(jiǎn)介
N584L120是一顆以4位元微處理控制器為基礎(chǔ)的語(yǔ)音IC芯片，提供H/W的語(yǔ)音合成器和混頻器實(shí)現(xiàn)1個(gè)信道的語(yǔ)音(Speech)并加雙音旋律(Dual Tone)的聲音效果。結(jié)合其采用的低電壓技術(shù)，實(shí)現(xiàn)在玩具市場(chǎng)中一顆電池的應(yīng)用。
N584L120內(nèi)部升壓器(booster voltage)電壓將達(dá)到3V。
它提供128 組4位元隨機(jī)存取內(nèi)存(RAM)、12個(gè)I/O腳位、語(yǔ)音合成器(Speech synthesizer)、旋律生成器(Melody generator)、看門(mén)狗監(jiān)視定時(shí)器(Watch Dog Timer)、語(yǔ)音脈沖寬度調(diào)變器(Audio PWM)，此PWM輸出可以直接驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器(Speaker)。
規(guī)格數(shù)據(jù)
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
新唐科技
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
1091瀏覽量
43369 -
嵌入式主板
+關(guān)注
關(guān)注
7文章
6107瀏覽量
37154
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
2N7002L與2V7002L小信號(hào)N溝道MOSFET的全面解析
2N7002L與2V7002L小信號(hào)N溝道MOSFET的全面解析 作為電子工程師，在設(shè)計(jì)電路時(shí)，MOSFET是我們常用的器件之一。今天就來(lái)詳細(xì)解析一下 onsemi 公司的 2N7002L
Onsemi N溝道SOT - 23 MOSFET：MGSF1N02L和MVGSF1N02L的深度解析
Onsemi N溝道SOT - 23 MOSFET：MGSF1N02L和MVGSF1N02L的深度解析 在電子工程師的日常工作中，MOSFET是電路設(shè)計(jì)里極為常見(jiàn)且關(guān)鍵的電子元件。今天我們要深入探討
Onsemi N溝道MOSFET：MGSF1N03L和MVGSF1N03L的技術(shù)解析
Onsemi N溝道MOSFET：MGSF1N03L和MVGSF1N03L的技術(shù)解析 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，MOSFET是不可或缺的重要元件。今天，我們就來(lái)深入了解Onsemi公司推出的兩款
Onsemi FDP120N10 N溝道MOSFET：高性能解決方案
Onsemi FDP120N10 N溝道MOSFET：高性能解決方案 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是至關(guān)重要的元件之一。今天，我們要深入探討Onsemi
深入剖析FQD13N10L/FQU13N10L N - 通道QFET? MOSFET
深入剖析FQD13N10L/FQU13N10L N - 通道QFET? MOSFET 一、引言 在電子工程領(lǐng)域，MOSFET作為重要的功率器件，廣泛應(yīng)用于各種電路設(shè)計(jì)中。今天我們要詳細(xì)探討
深入解析 onsemi NTD24N06L/STD24N06L MOSFET
深入解析 onsemi NTD24N06L/STD24N06L MOSFET 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET 是一種至關(guān)重要的元件，廣泛應(yīng)用于各種電路中。今天我們來(lái)詳細(xì)解析 onsemi 公司
深入解析Onsemi NTD18N06L/NTDV18N06L MOSFET
深入解析Onsemi NTD18N06L/NTDV18N06L MOSFET 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件，它廣泛應(yīng)用于各類電源、轉(zhuǎn)換器和電機(jī)控制等電路中。今天我們
HMC584LP5 / 584LP5E：高性能MMIC VCO的卓越之選
HMC584LP5 / 584LP5E：高性能MMIC VCO的卓越之選 在射頻和微波領(lǐng)域，壓控振蕩器（VCO）是至關(guān)重要的組件，它為眾多應(yīng)用提供了穩(wěn)定的頻率源。今天，我們就來(lái)深入了解一款性能出色
AS-120-N VHF精密開(kāi)關(guān)衰減器
AS-120-NVHF精密開(kāi)關(guān)衰減器AS-120-N 是RLC Electronics公司生產(chǎn)的VHF精密開(kāi)關(guān)衰減器（VHF Precision Switch Attenuator）系列中的一款
發(fā)表于 03-10 09:02
onsemi碳化硅MOSFET NTH4L014N120M3P：高效電力轉(zhuǎn)換的理想之選
在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能，正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選器件。今天，我們就來(lái)深入了解一下安森美（onsemi）的一款1200V碳化硅MOSFET——NTH4L014N120M3P。
探索 onsemi NTH4L022N120M3S碳化硅MOSFET的卓越性能
在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其出色的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天，我們就來(lái)深入探討 onsemi 的 NTH4L022N120M3S 這款 1200V、22mΩ 的碳化硅 MOSFET，看看它到底有哪些獨(dú)特之處。
安森美1200V碳化硅MOSFET：NTH4L013N120M3S的特性與應(yīng)用分析
在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能，正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。今天，我們就來(lái)深入探討安森美（onsemi）推出的一款1200V碳化硅MOSFET——NTH4L013N120M3S。
onsemi AFGH4L60T120RWx-STD N溝道場(chǎng)截止VII IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)
安森美 (onsemi) AFGH4L60T120RWx-STD N溝道場(chǎng)截止VII IGBT采用新型第七代場(chǎng)截止IGBT技術(shù)和第七代二極管，封裝形式為4引腳。該IGBT的集電極-發(fā)射極電壓 (V
STL120N10F8功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STL120N10F8100V N溝道增強(qiáng)模式STripFET MOSFET采用ST的STripFET F8技術(shù)，具有增強(qiáng)型溝槽柵極結(jié)構(gòu)。它確保極低的導(dǎo)通電
ZSKYN- 120N06D- TO252-2L N溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書(shū)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKYN- 120N06D- TO252-2L N溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 05-14 16:40
?0次下載
評(píng)論