制造商:MSKSEMI
描述:晶體管類型:1個(gè)NPN-預(yù)偏置 功率(Pd):150mW 集電極電流(Ic):100mA 集射極擊穿電壓(Vceo):50V 集電極截止電流(Icbo):100nA 集射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@10mA,1mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce):30@10mA,5V
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