型號簡介
      MPQ1918GQE-AEC1-Z是MPS的一款柵極驅(qū)動(dòng)器。專為驅(qū)動(dòng)半橋或同步應(yīng)用中的增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET 和低柵極閾值電壓 N 溝道 MOSFET而設(shè)計(jì)。采用獨(dú)立的上管 (HS) 和下管 (LS) 脈寬調(diào)制 (PWM) 輸入。它采用自舉技術(shù)提供 HS 驅(qū)動(dòng)電壓自舉，并可以在高達(dá) 100V 的電壓下工作。其新型充電技術(shù)可防止 HS 驅(qū)動(dòng)電壓超過 VCC 電壓 (VCC)，從而防止柵極電壓超過 GaN FET 的最大柵源電壓額定值。

型號特點(diǎn) 

• 獨(dú)立的上管 (HS) 和下管 (LS) TTL 邏輯輸入
• HS 浮動(dòng)偏置電壓軌工作電壓高達(dá) 100VDC
• 獨(dú)立柵極輸出以實(shí)現(xiàn)可調(diào)導(dǎo)通與關(guān)斷能力
• 內(nèi)部自舉開關(guān)電源電壓鉗位
• 3.7V 至 5.5V VCC 電壓 (VCC) 范圍
• 0.27Ω/1.2Ω 下拉/上拉電阻
• 快速傳播時(shí)間
• 出色的傳播延遲匹配（1.5ns典型值）
• 采用側(cè)面鍍錫的 FCQFN-14 (3mmx3mm) 封裝
• 符合AEC-Q100 等級1認(rèn)證

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