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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSZ12DN20NS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): BSZ12DN20NS3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(3X3)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**型號(hào):BSZ12DN20NS3 G-VB**
- **封裝類(lèi)型**:DFN8 (3x3)
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道MOSFET
- **技術(shù)**:溝槽式

BSZ12DN20NS3 G-VB 是一款高耐壓N溝道MOSFET,采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)。該MOSFET具備高耐壓、高電流處理能力及良好的導(dǎo)通性能,適用于要求較高的電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。其DFN8 (3x3)封裝設(shè)計(jì)使得其在空間受限的應(yīng)用中依然能提供可靠的性能。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類(lèi)型**:DFN8 (3x3)
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**:200V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:85mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:9.3A
- **技術(shù)**:溝槽式

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例

**1. 電源管理**
  - **領(lǐng)域**:工業(yè)電源、家電電源、高壓電源
  - **模塊**:高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器、電源開(kāi)關(guān)、逆變器
  - **說(shuō)明**:BSZ12DN20NS3 G-VB 的200V漏極-源極電壓使其特別適合用于高壓電源應(yīng)用中。在高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器中,該MOSFET能夠高效地轉(zhuǎn)換電壓,處理較高的電壓,同時(shí)維持較低的導(dǎo)通電阻。在電源開(kāi)關(guān)和逆變器中,其高電壓耐受能力確保了系統(tǒng)的安全和可靠性。

**2. 電動(dòng)工具**
  - **領(lǐng)域**:電動(dòng)驅(qū)動(dòng)、充電器、控制系統(tǒng)
  - **模塊**:電動(dòng)工具電源管理、電池管理系統(tǒng)
  - **說(shuō)明**:在電動(dòng)工具中,BSZ12DN20NS3 G-VB 能夠處理電動(dòng)工具中較高的工作電壓,提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)性能和高效的電力傳輸。在充電器和電池管理系統(tǒng)中,該MOSFET的高耐壓特性使其能夠安全地處理充電過(guò)程中的高電壓和電流,確保電池充電的安全性和效率。

**3. 工業(yè)應(yīng)用**
  - **領(lǐng)域**:電機(jī)驅(qū)動(dòng)、自動(dòng)化控制、發(fā)電機(jī)
  - **模塊**:電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路、自動(dòng)化控制系統(tǒng)、發(fā)電機(jī)控制器
  - **說(shuō)明**:在電機(jī)驅(qū)動(dòng)和自動(dòng)化控制應(yīng)用中,BSZ12DN20NS3 G-VB 的高耐壓和電流處理能力確保了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和高效性。在發(fā)電機(jī)控制器中,它能夠處理高電壓的電源輸入,確保發(fā)電機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行和控制。

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