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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPP80P04P4L-04-VB一款TO220封裝P-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPP80P04P4L-04-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-P-Channel
  • VDS -40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -3V
  • RDS(ON) 4mΩ@VGS=10V
  • ID -110A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPP80P04P4L-04-VB 產(chǎn)品簡介

IPP80P04P4L-04-VB 是一款高性能單通道 P 型 MOSFET,采用 TO220 封裝,專為低電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計。其具有 -40V 的漏源極電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源極電壓 (VGS),適合在低電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作。該 MOSFET 的開啟電壓 (Vth) 為 -3V,表現(xiàn)出良好的低電壓開關(guān)性能。其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS 為 4.5V 時為 4.8mΩ,在 VGS 為 10V 時為 4mΩ,能夠在高電流應(yīng)用中提供極低的導(dǎo)通損耗。最大漏極電流 (ID) 為 -110A,采用了 Trench 技術(shù),確保了優(yōu)良的開關(guān)性能和低熱阻。

### 二、IPP80P04P4L-04-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

1. **封裝類型**:TO220
2. **配置**:單通道 P 型 MOSFET
3. **漏源極電壓 (VDS)**:-40V
4. **柵源極電壓 (VGS)**:±20V
5. **開啟電壓 (Vth)**:-3V
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
  - 4.8mΩ @ VGS = 4.5V
  - 4mΩ @ VGS = 10V
7. **最大漏極電流 (ID)**:-110A
8. **技術(shù)類型**:Trench 技術(shù)
9. **工作溫度范圍**:-55°C ~ 150°C
10. **熱阻**:典型值 1.1°C/W (結(jié)殼)
11. **功率耗散**:典型值 100W
12. **封裝尺寸**:TO220 外形尺寸,適合通過孔焊接或散熱器安裝

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **高效開關(guān)電源 (SMPS)**:IPP80P04P4L-04-VB 在高效開關(guān)電源中表現(xiàn)優(yōu)異,尤其是在需要高電流的低電壓部分。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力幫助提高電源的整體效率,減少功耗,并優(yōu)化系統(tǒng)性能。

2. **電動汽車 (EV) 逆變器**:在電動汽車的逆變器中,該 MOSFET 適合用于高電流電池管理和電流開關(guān)控制。其低導(dǎo)通電阻有助于降低能量損失,提高系統(tǒng)的總體效率和可靠性。

3. **電流保護(hù)電路**:由于其能夠處理高電流和低導(dǎo)通損耗,IPP80P04P4L-04-VB 適用于電流保護(hù)電路,能夠有效地提供過流保護(hù),同時減少電流流通中的熱損耗。

4. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,該 MOSFET 可以作為高電流的開關(guān)元件。其低導(dǎo)通電阻有助于提高轉(zhuǎn)換器的效率,尤其是在低電壓、大電流應(yīng)用中,能夠有效地提升轉(zhuǎn)換效率。

5. **功率放大器**:在功率放大器和其他高功率應(yīng)用中,IPP80P04P4L-04-VB 提供了必要的高電流能力和低導(dǎo)通損耗,確保了放大器的穩(wěn)定性和高效能。

總之,IPP80P04P4L-04-VB 以其低電壓、高電流能力和低導(dǎo)通電阻,適合用于要求高效能和低功耗的應(yīng)用場景,如高效開關(guān)電源、電動汽車逆變器、電流保護(hù)電路、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及功率放大器等領(lǐng)域。

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