**產(chǎn)品簡(jiǎn)介：**
IPP80P03P3L-04-VB 是一款高性能單P溝道MOSFET，封裝類型為T(mén)O220，采用先進(jìn)的Trench技術(shù)。它具備高達(dá)-30V的漏源極電壓（VDS）和±20V的柵源極電壓（VGS），適合用于高效能的負(fù)極開(kāi)關(guān)應(yīng)用。該MOSFET的開(kāi)啟電壓（Vth）為-3V，使其在相對(duì)較低的柵源極電壓下即可開(kāi)啟。其低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為4mΩ（@VGS=10V）和5mΩ（@VGS=4.5V）保證了高電流下的低功率損耗，最大漏極電流（ID）為-100A。這些特性使得IPP80P03P3L-04-VB 在高電流負(fù)載和高效開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)卓越。
**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明：**
- **封裝類型**：TO220
- **溝道類型**：?jiǎn)蜳溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**：-30V
- **柵源極電壓 (VGS)**：±20V
- **開(kāi)啟電壓 (Vth)**：-3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：
- 5mΩ @ VGS=4.5V
- 4mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**：-100A
- **技術(shù)類型**：Trench技術(shù)
- **工作溫度范圍**：-55°C 至 150°C
- **開(kāi)關(guān)頻率**：適用于高頻率應(yīng)用
**應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例：**
1. **高功率開(kāi)關(guān)**：IPP80P03P3L-04-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其非常適合用于高功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用，如DC-DC轉(zhuǎn)換器中的負(fù)極開(kāi)關(guān)。這能夠確保系統(tǒng)的高效能和穩(wěn)定性，減少功率損耗。
2. **電機(jī)控制**：在電機(jī)控制器中，該MOSFET 可用于高效的負(fù)極開(kāi)關(guān)，特別是在需要高電流負(fù)載的電動(dòng)機(jī)控制應(yīng)用中，確保電動(dòng)機(jī)的平穩(wěn)運(yùn)行和高效驅(qū)動(dòng)。
3. **電池保護(hù)系統(tǒng)**：在電池保護(hù)和管理系統(tǒng)中，IPP80P03P3L-04-VB 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻有助于高效地控制充電和放電過(guò)程，提升電池的安全性和壽命。
4. **功率放大器**：在功率放大器中，該MOSFET 的高電流能力和低功耗特性使其適合用作負(fù)極開(kāi)關(guān)，提供高效能的功率放大和處理。
5. **汽車電子**：在汽車電子系統(tǒng)中，如電動(dòng)座椅和窗戶控制等模塊，該MOSFET 可以作為高效的開(kāi)關(guān)元件，提供穩(wěn)定和可靠的性能，滿足汽車應(yīng)用對(duì)高電流和高效能的要求。
這些應(yīng)用表明，IPP80P03P3L-04-VB 在需要高電流處理和低功率損耗的各類電子和電力模塊中具有廣泛的應(yīng)用潛力。