中科君芯JFG14N40B ?40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET?是種特定的功率場效應晶體管（MOSFET）主要應用在電池管理 、系統(tǒng)與電源管理，MOSFET由于其低導通電阻、大電流能力和邏輯電平驅動的特性，特別適用于需要高效、大電流驅動的電路，如汽車電子、工業(yè)控制等領域?。其關鍵參數和特性如下：

功能特性：

設備額定電壓VDS:=40V,連續(xù)工作時漏極電流上限 ID = 150A
導通電阻=2.7mΩ (typ.) 柵源電壓= 10V, 漏極電流 = 20A
?專有高密度溝槽技術
符合RoHS和無鹵素 （不含鹵素或鹵素含量極低的材料或產品）
封裝：TO-220-3L
電氣特性：

?VDS（Drain-Source Voltage）?：40V
?VGS（Gate-Source Voltage）?：±20V
?ID（Continuous Drain Current）?：Tc=25°對應最大漏極電流上限150A,Tc=100°對應漏極電流上限最大值95A
?IDM（Pulsed Drain Current）：600A
PD（Total Power Dissipation）?：TC = 25℃ 對應1.4W,TA = 25℃對應2.15W
EAS單脈沖雪崩能量:150mJ
RθJA(Junction to Ambient (mounted on 1 inch square PCB)熱阻:58C\W
RθJC:結到殼的熱阻:1.2°C\W
?TJ?\TSTG?:-55 to +150°C
除非另有說明，TC=25℃

————其他詳細參數請聯(lián)系深圳市泰凌微電子有限公司團隊————————————