--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO262
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 2V
- RDS(ON) 5.7mΩ@VGS=10V
- ID 75A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介:
IPI80N04S3-04-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET,采用TO262封裝,基于先進的Trench技術(shù)制造。這款MOSFET具有60V的漏源電壓(VDS)和75A的連續(xù)漏極電流(ID),能夠在高電流應(yīng)用中提供卓越的性能。其柵極電壓(VGS)范圍為±20V,柵極閾值電壓(Vth)為2V,確保了在較低柵極電壓下的穩(wěn)定開啟。該MOSFET的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為5.7mΩ @ VGS=10V,提供了極低的功率損耗,適合各種高效能開關(guān)應(yīng)用。
### 詳細參數(shù)說明:
- **封裝類型**:TO262
- **溝道配置**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:60V
- **柵極電壓 (VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:2V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:5.7mΩ @ VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**:75A
- **技術(shù)**:Trench技術(shù)
### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例:
1. **電源轉(zhuǎn)換器**:IPI80N04S3-04-VB 在電源轉(zhuǎn)換器中應(yīng)用廣泛,尤其是在DC-DC轉(zhuǎn)換器中。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其在高功率開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠提高轉(zhuǎn)換效率并減少能量損耗,適用于各種電子設(shè)備的電源管理。
2. **電機驅(qū)動控制**:在電機驅(qū)動系統(tǒng)中,該MOSFET 可以用作電機控制模塊的開關(guān)元件。其高電流能力和低功耗特點保證了電機驅(qū)動的穩(wěn)定性和效率,適用于工業(yè)自動化設(shè)備和電動工具。
3. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**:在電池管理系統(tǒng)中,IPI80N04S3-04-VB 可以作為電池保護開關(guān),控制充放電過程。其優(yōu)異的導(dǎo)通特性和高電流處理能力確保了系統(tǒng)的高效運作,能夠有效延長電池壽命并提高系統(tǒng)的整體性能。
4. **汽車電子系統(tǒng)**:這款MOSFET 在汽車電子系統(tǒng)中也有應(yīng)用,如電動汽車的動力系統(tǒng)和汽車照明控制。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高汽車電子系統(tǒng)的效率和可靠性,滿足現(xiàn)代汽車對高效能組件的需求。
IPI80N04S3-04-VB 以其優(yōu)異的性能和高效能特性,適用于高功率開關(guān)和電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用,在電源管理、電機控制、電池管理和汽車電子系統(tǒng)中提供可靠的解決方案。
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