### IPP023NE7N3 G-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPP023NE7N3 G-VB 是一款高性能 N 溝道功率 MOSFET，封裝為 TO220，專為要求高電流、高電壓的應(yīng)用設(shè)計(jì)。該 MOSFET 支持最大 80V 的漏源電壓（VDS）和 ±20V 的柵源電壓（VGS）。其柵極閾值電壓（Vth）為 3V，能夠在較低的柵極電壓下開始導(dǎo)通。由于采用了先進(jìn)的 Trench 技術(shù)，IPP023NE7N3 G-VB 擁有非常低的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），在 VGS = 10V 時(shí)為 3mΩ，這使得它在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色，最大漏極電流（ID）高達(dá) 195A。這些特性使其在高效能電源系統(tǒng)和電動(dòng)汽車應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。
### IPP023NE7N3 G-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
1. **封裝類型**: TO220
2. **配置**: 單 N 溝道
3. **漏源電壓 (VDS)**: 80V
4. **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
5. **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3V
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 3.6mΩ @ VGS = 4.5V
- 3mΩ @ VGS = 10V
7. **漏極電流 (ID)**: 195A
8. **最大脈沖電流 (ID, pulse)**: 700A
9. **功率耗散 (Ptot)**: 250W
10. **技術(shù)類型**: Trench
11. **輸入電容 (Ciss)**: 約 4200pF
12. **柵極電荷 (Qg)**: 典型值為 120nC
13. **反向恢復(fù)時(shí)間 (Trr)**: 典型值為 35ns
14. **工作溫度范圍**: -55°C 至 175°C
15. **最大結(jié)溫 (Tj)**: 175°C
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **高功率電源開關(guān)**:
IPP023NE7N3 G-VB 可用于高功率電源開關(guān)模塊中，例如在開關(guān)電源（SMPS）和不間斷電源（UPS）中。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力確保了高效能和低能量損耗的電源開關(guān)操作，有助于提高電源系統(tǒng)的整體效率。
2. **電動(dòng)汽車 (EV) 動(dòng)力系統(tǒng)**:
在電動(dòng)汽車的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源管理系統(tǒng)中，該 MOSFET 由于其高電流能力和低導(dǎo)通電阻，能夠有效地處理電動(dòng)汽車中的高電流需求，提升電動(dòng)汽車的動(dòng)力系統(tǒng)效率和可靠性。
3. **高性能 DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:
IPP023NE7N3 G-VB 適用于各種 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，如高效能電源轉(zhuǎn)換模塊。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其在需要高效能和高負(fù)載能力的場(chǎng)合中表現(xiàn)突出，適合于計(jì)算機(jī)服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和通訊設(shè)備的電源管理。
4. **工業(yè)自動(dòng)化和控制**:
該 MOSFET 可用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源開關(guān)。其高電流承載能力和穩(wěn)定的開關(guān)性能，使其在要求高可靠性的工業(yè)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異，確保設(shè)備的平穩(wěn)運(yùn)行和長壽命。
IPP023NE7N3 G-VB 由于其高電流能力、低導(dǎo)通電阻和優(yōu)良的開關(guān)性能，廣泛適用于電源管理、電動(dòng)汽車、電源轉(zhuǎn)換和工業(yè)控制等多個(gè)高效能應(yīng)用領(lǐng)域。