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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPP024N06N3 G-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPP024N06N3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 2.1mΩ@VGS=10V
  • ID 270A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:
IPP024N06N3 G-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET,采用TO220封裝,基于先進(jìn)的Trench技術(shù)。這款MOSFET具有60V的漏源電壓(VDS)和高達(dá)270A的連續(xù)漏極電流(ID),能夠處理極高的電流。其柵極電壓(VGS)范圍為±20V,柵極閾值電壓(Vth)為3V,確保了在低柵極電壓下能夠高效開啟。導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為2.5mΩ @ VGS=4.5V 和 2.1mΩ @ VGS=10V,提供了極低的開關(guān)損耗,適合高功率和高效率的開關(guān)應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明:
- **封裝類型**:TO220
- **溝道配置**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:60V
- **柵極電壓 (VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 2.5mΩ @ VGS=4.5V
 - 2.1mΩ @ VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**:270A
- **技術(shù)**:Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例:

1. **高功率電源管理**:IPP024N06N3 G-VB 在高功率電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異,特別是在高電流和高電壓的DC-DC轉(zhuǎn)換器中。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其能夠有效降低開關(guān)損耗,提高能效,適用于各種高功率電子設(shè)備的電源轉(zhuǎn)換。

2. **電動汽車驅(qū)動**:在電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)中,該MOSFET 可以作為電機(jī)驅(qū)動模塊的開關(guān)元件。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻能夠提供穩(wěn)定的電機(jī)控制,滿足電動汽車對高效能和可靠性的要求。

3. **逆變器應(yīng)用**:在光伏逆變器和其他逆變器應(yīng)用中,IPP024N06N3 G-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力能夠優(yōu)化電力轉(zhuǎn)換效率,確保系統(tǒng)在各種工作條件下的穩(wěn)定性和高效性。

4. **工業(yè)電源系統(tǒng)**:該MOSFET 也適用于工業(yè)電源系統(tǒng)中的開關(guān)和控制應(yīng)用。其卓越的導(dǎo)通特性和高電流處理能力使其能夠在高功率負(fù)載下保持穩(wěn)定性,提升工業(yè)設(shè)備的性能和可靠性。

IPP024N06N3 G-VB 以其卓越的高電流和低功耗特性,適用于各種高功率開關(guān)和電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用,為電源管理、電動汽車驅(qū)動、逆變器和工業(yè)電源系統(tǒng)提供了可靠的解決方案。

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