### 一、IPP030N10N3 G-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介：
IPP030N10N3 G-VB 是一款高性能單N溝道功率MOSFET，封裝為TO220。該MOSFET設(shè)計(jì)用于處理高電流和高電壓的應(yīng)用，具有100V的漏源電壓（VDS）和20V的柵源電壓（VGS）。其開啟閾值電壓（Vth）為3V，采用Trench技術(shù)，具備極低的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），在VGS=10V時(shí)為3mΩ，支持高達(dá)180A的漏極電流（ID）。IPP030N10N3 G-VB 在需要高效能和高電流處理能力的應(yīng)用中表現(xiàn)出色，廣泛用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。
### 二、IPP030N10N3 G-VB 詳細(xì)參數(shù)說明：
- **封裝類型**：TO220
- **配置**：?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓（VDS）**：100V
- **柵源電壓（VGS）**：±20V
- **開啟閾值電壓（Vth）**：3V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）**：
- 3mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流（ID）**：180A
- **技術(shù)類型**：Trench
- **工作溫度范圍**：-55°C 至 175°C
- **功耗**：依賴于具體散熱條件
- **封裝外形尺寸**：標(biāo)準(zhǔn)TO220封裝
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例：
1. **電源轉(zhuǎn)換**：
IPP030N10N3 G-VB 的高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其在電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。特別是在DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC電源和開關(guān)電源中，該MOSFET 能夠高效地進(jìn)行功率轉(zhuǎn)換，減少能量損失，提高整體系統(tǒng)的效率。這使得它非常適合用于高功率電源模塊的設(shè)計(jì)和優(yōu)化。
2. **直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)**：
由于其180A的高電流處理能力和極低的RDS(ON)，IPP030N10N3 G-VB 在直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。該MOSFET 能夠在電機(jī)啟動(dòng)和運(yùn)行期間處理大電流負(fù)載，適用于電動(dòng)工具、電動(dòng)汽車和工業(yè)設(shè)備中的電機(jī)控制系統(tǒng)，提供更高的效率和可靠性。
3. **負(fù)載開關(guān)**：
在負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中，IPP030N10N3 G-VB 的高電流能力和低功耗特性使其成為理想選擇。該MOSFET 可用于各種高電流負(fù)載的開關(guān)和保護(hù)電路，例如在電源開關(guān)、負(fù)載保護(hù)和電流控制系統(tǒng)中，確保系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。
4. **電池管理**：
在電池管理系統(tǒng)中，尤其是在電動(dòng)汽車和儲(chǔ)能系統(tǒng)中，IPP030N10N3 G-VB 的高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻能夠有效進(jìn)行電池充放電管理和保護(hù)。其高效能和高電流處理能力使其適合用于電池管理和電流調(diào)節(jié)，優(yōu)化電池系統(tǒng)的性能和壽命。
IPP030N10N3 G-VB 的高電流處理能力和低功耗特性使其在高效能電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色，為各種高電流和高功率需求的場(chǎng)合提供可靠的解決方案。