### 產(chǎn)品簡介：
IPP034N03L G-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET，封裝類型為TO220。它專為需要高電流和極低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用設(shè)計，具有30V的最大漏源電壓（VDS），支持±20V的柵源電壓（VGS）。該MOSFET的開啟閾值電壓為1.7V，采用先進(jìn)的Trench技術(shù)，導(dǎo)通電阻低至4mΩ（@VGS=4.5V）和3mΩ（@VGS=10V），并能處理高達(dá)120A的漏極電流。IPI034N03L G-VB適用于高效電流處理和高功率密度的應(yīng)用。
### 參數(shù)說明：
- **封裝類型**：TO220
- **溝道配置**：單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：30V
- **柵源電壓 (VGS)**：±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**：1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：
- 4mΩ @ VGS=4.5V
- 3mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：120A
- **技術(shù)類型**：Trench
### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊：
1. **高效電源轉(zhuǎn)換**：IPP034N03L G-VB的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其在高效電源轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)突出。適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC轉(zhuǎn)換器等電源模塊，有效減少功耗和提高轉(zhuǎn)換效率。
2. **電機驅(qū)動**：在電動汽車和工業(yè)電機驅(qū)動系統(tǒng)中，該MOSFET能夠處理大電流負(fù)載，提供穩(wěn)定和高效的電機控制。其低導(dǎo)通電阻減少了功耗，提升了電機驅(qū)動系統(tǒng)的性能和可靠性。
3. **開關(guān)電源**：IPI034N03L G-VB適用于開關(guān)電源模塊，如計算機電源和充電器。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠高效地開關(guān)電流，優(yōu)化電源模塊的性能。
4. **負(fù)載開關(guān)**：在高功率負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中，如電源管理和負(fù)載切換系統(tǒng)，該MOSFET提供了高效的開關(guān)控制，減少了功耗并提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
5. **汽車電子**：在汽車電子系統(tǒng)中，包括電池管理系統(tǒng)（BMS）和電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)，IPP034N03L G-VB能夠處理高電流需求，支持高效的電源管理和穩(wěn)定的電流控制，提升整體系統(tǒng)的性能和可靠性。