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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IPP037N06L3 G-VB一款TO220封裝N-Channel場效應MOS管

型號: IPP037N06L3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 3mΩ@VGS=10V
  • ID 210A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介 - IPP037N06L3 G-VB

IPP037N06L3 G-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET,采用TO220封裝,專為高電流和高效能應用設計。其主要特點包括60V的漏極-源極耐壓能力和高達210A的漏極電流承載能力。MOSFET 使用Trench技術,具有極低的導通電阻(RDS(ON) 為3mΩ @ VGS=10V),能夠在高負載條件下提供卓越的性能。該MOSFET 非常適合用于要求高電流和高效率的電源管理和開關應用。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO220  
- **溝道類型**:單N溝道  
- **漏極-源極電壓 (VDS)**:60V  
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 9mΩ @ VGS=4.5V  
 - 3mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**:210A  
- **技術類型**:Trench技術  
- **熱性能**:優(yōu)良的散熱特性,適合高功率密度應用

### 應用領域與模塊示例

1. **高效DC-DC轉(zhuǎn)換器**  
  IPP037N06L3 G-VB 在DC-DC轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)出色,其超低的導通電阻和高電流承載能力可以顯著降低功率損耗,提高轉(zhuǎn)換效率。這使其非常適用于計算機電源、通信設備電源和高性能電源管理系統(tǒng)。

2. **電動汽車和電池管理**  
  在電動汽車和電池管理系統(tǒng)中,該MOSFET 可以處理高電流的充電和放電任務。其低導通電阻和高電流能力有助于提升電池管理系統(tǒng)的整體效率,減少熱量生成,增強電動汽車的續(xù)航和動力性能。

3. **電動工具和高功率電機控制**  
  IPP037N06L3 G-VB 在電動工具和高功率電機控制中也有很大應用價值。其高電流處理能力和低功耗特性使其適合驅(qū)動高功率電機,確保電動工具在高負荷下的可靠運行和高效能。

4. **LED驅(qū)動器**  
  在LED照明驅(qū)動器中,MOSFET 的低導通電阻確保高效能電流傳輸,有助于驅(qū)動高功率LED模塊,提供穩(wěn)定的光輸出,同時減少能量損耗和熱量生成。

5. **工業(yè)自動化和開關應用**  
  IPP037N06L3 G-VB 適用于各種工業(yè)自動化設備,如PLC控制器和機器人系統(tǒng)。其卓越的電流處理能力和低導通損耗,使其在需要高功率處理和高效率的工業(yè)環(huán)境中表現(xiàn)優(yōu)異。

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