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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPP037N08N3 G-VB一款TO220封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPP037N08N3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 80V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 3mΩ@VGS=10V
  • ID 195A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPP037N08N3 G-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPP037N08N3 G-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,采用 TO220 封裝,專為中高電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具有 80V 的漏源擊穿電壓和高達(dá) 195A 的最大漏極電流。該 MOSFET 采用了 Trench 技術(shù),以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的開關(guān)性能,確保在高電流條件下保持高效能。IPP037N08N3 G-VB 設(shè)計(jì)用于各種需要高功率和高效率的電子應(yīng)用,提供了卓越的電氣性能和穩(wěn)定性。

### 二、IPP037N08N3 G-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO220  
- **溝道配置**:?jiǎn)螛O N 溝道  
- **漏源擊穿電壓 (VDS)**:80V  
- **柵極驅(qū)動(dòng)電壓 (VGS)**:±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 3.6mΩ @ VGS = 4.5V  
 - 3mΩ @ VGS = 10V  
- **最大漏極電流 (ID)**:195A  
- **技術(shù)**:Trench(溝槽技術(shù))

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **高功率開關(guān)電源**:
  在高功率開關(guān)電源(如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 AC-DC 轉(zhuǎn)換器)中,IPP037N08N3 G-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其能夠處理大功率負(fù)載,減少能量損耗,提高系統(tǒng)效率,特別是在需要高效能和高可靠性的電源設(shè)計(jì)中表現(xiàn)出色。

2. **電動(dòng)汽車電機(jī)控制**:
  電動(dòng)汽車的電機(jī)控制系統(tǒng)常常需要處理高電流和中等電壓。該 MOSFET 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,使其在電動(dòng)汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊中提供了穩(wěn)定的電流控制,確保高效的動(dòng)力傳輸和可靠的性能。

3. **電池管理系統(tǒng)**:
  在電池管理系統(tǒng)中,IPP037N08N3 G-VB 的高電流能力和低導(dǎo)通電阻有助于優(yōu)化電池的充放電過程,提升系統(tǒng)的整體性能和穩(wěn)定性,確保電池組的安全和高效運(yùn)行。

4. **高功率負(fù)載開關(guān)**:
  在工業(yè)和消費(fèi)電子設(shè)備中,需要對(duì)高功率負(fù)載進(jìn)行精確控制。該 MOSFET 能夠高效地管理和開關(guān)大功率負(fù)載,例如在電動(dòng)工具、工業(yè)設(shè)備和電力控制模塊中提供可靠的性能和長(zhǎng)壽命。

IPP037N08N3 G-VB 以其優(yōu)異的開關(guān)性能和高電流處理能力,在高功率電子應(yīng)用中展現(xiàn)了卓越的性能,滿足了各種需要高效能和高可靠性的應(yīng)用需求。

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