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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPP03N03LA-VB一款TO220封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPP03N03LA-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 3mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IPP03N03LA-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IPP03N03LA-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,采用 TO220 封裝,設(shè)計(jì)用于中低電壓和高電流應(yīng)用。它支持最大 30V 的漏源極電壓(VDS)和 ±20V 的柵源極電壓(VGS),具有 1.7V 的開(kāi)啟電壓(Vth)。該 MOSFET 在 VGS=10V 時(shí)的導(dǎo)通電阻僅為 3mΩ,能夠處理高達(dá) 120A 的漏極電流。采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù),IPP03N03LA-VB 提供了優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能和低功耗特性,非常適合用于高效電源和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類型**: TO220
- **極性配置**: 單 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **開(kāi)啟電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 4mΩ @ VGS=4.5V
 - 3mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術(shù)**: Trench 溝槽型 MOSFET 技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **高效電源開(kāi)關(guān)**:IPP03N03LA-VB 在高效電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色,特別是在開(kāi)關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力有助于減少功率損耗和提高系統(tǒng)的能效,使其成為高效電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**:在電動(dòng)汽車和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,該 MOSFET 能夠有效處理高電流需求。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力可以提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的效率,減少功耗和熱量,適用于電機(jī)控制模塊和驅(qū)動(dòng)電路。

3. **高功率負(fù)載開(kāi)關(guān)**:由于其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻,IPP03N03LA-VB 是高功率負(fù)載開(kāi)關(guān)的理想選擇。它能夠穩(wěn)定地在高電流負(fù)載下工作,適用于高功率開(kāi)關(guān)電源、負(fù)載開(kāi)關(guān)模塊和其他需要高效能和低功耗的應(yīng)用。

4. **工業(yè)電源管理**:在工業(yè)電源管理系統(tǒng)中,該 MOSFET 提供了高效的電流開(kāi)關(guān)功能。它適用于電源模塊和保護(hù)電路,尤其在需要高電流處理和低功耗的應(yīng)用場(chǎng)景中,如工業(yè)設(shè)備的電源管理和控制系統(tǒng)。

IPP03N03LA-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其在高效電源開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、高功率負(fù)載開(kāi)關(guān)和工業(yè)電源管理等領(lǐng)域中表現(xiàn)優(yōu)異,特別適合于需要高效能和高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)合。

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