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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPP110N06L G-VB一款TO220封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPP110N06L G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 11mΩ@VGS=10V
  • ID 60A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
IPP110N06L G-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET,采用 TO220 封裝。該器件設(shè)計(jì)用于要求高電流和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用,具有 60V 的漏源極電壓(VDS)和 ±20V 的柵源極電壓(VGS)。它的低開啟電壓閾值(Vth)為 1.7V,配合先進(jìn)的 Trench 技術(shù),能夠在較低的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下實(shí)現(xiàn)較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),提升了開關(guān)效率和整體系統(tǒng)性能。

### 詳細(xì)參數(shù)說明:
- **封裝類型**: TO220
- **通道配置**: 單-N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟電壓閾值 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 13mΩ @ VGS = 4.5V
 - 11mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 60A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊:
1. **電源管理**: IPP110N06L G-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其非常適合用于高效電源管理系統(tǒng),例如開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC轉(zhuǎn)換器。在計(jì)算機(jī)、通訊設(shè)備和工業(yè)電源模塊中,它可以有效地提高能效并減少熱損耗。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 由于其高電流承載能力,這款MOSFET是電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的理想選擇。它廣泛應(yīng)用于電動(dòng)車、家用電器和工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中的電機(jī)控制器,確保了高效的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和可靠的性能。

3. **汽車電子**: 在汽車電子系統(tǒng)中,特別是在電池管理系統(tǒng)和電源轉(zhuǎn)換模塊中,該MOSFET提供了高穩(wěn)定性和低功耗特性。這使其適合用于汽車ECU和其他汽車電源管理應(yīng)用。

4. **光伏逆變器**: 在光伏系統(tǒng)中,IPP110N06L G-VB 可以作為逆變器中的開關(guān)元件。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力確保了光伏系統(tǒng)的高效率和穩(wěn)定性,特別是在要求較高功率轉(zhuǎn)換的場(chǎng)合。

總之,IPP110N06L G-VB 的設(shè)計(jì)目標(biāo)是提供高效的開關(guān)性能和可靠的電流處理能力,使其在多個(gè)領(lǐng)域中成為理想的選擇,尤其是在高效電源管理和高電流應(yīng)用中表現(xiàn)突出。

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