chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 77 粉絲

K1195-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K1195-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K1195-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

K1195-VB 是一款高性能的單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為中等電壓和高電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓 (VDS) 為 200V,適用于多種電源管理和開關(guān)電路。K1195-VB 的門限電壓 (Vth) 為 3V,確保在較低的柵源電壓下實(shí)現(xiàn)快速導(dǎo)通,增強(qiáng)開關(guān)效率。該 MOSFET 在 VGS 為 10V 時(shí)的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 245mΩ,支持最大 10A 的漏極電流 (ID),使其能夠高效地處理功率轉(zhuǎn)換。憑借其 Trench 技術(shù),K1195-VB 提供卓越的性能與熱管理,適合高要求的電力電子應(yīng)用。

---

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: K1195-VB  
- **封裝**: TO252  
- **配置**: 單 N 溝道 MOSFET  
- **漏源電壓 (VDS)**: 200V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V  
- **門限電壓 (Vth)**: 3V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 245mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**: 10A  
- **技術(shù)類型**: Trench  
- **最大功耗 (PD)**: 45W  
- **熱阻 (RθJC)**: 3.5°C/W  
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C  

---

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊說明

1. **電源管理系統(tǒng)**: K1195-VB 廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源 (SMPS) 和電源適配器中,提供穩(wěn)定的電壓輸出和高效的功率轉(zhuǎn)換,適合消費(fèi)電子產(chǎn)品和工業(yè)設(shè)備的電源模塊。

2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 該 MOSFET 可用于直流電動(dòng)機(jī)和步進(jìn)電動(dòng)機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路中,支持高達(dá) 10A 的電流輸出,適用于家用電器、機(jī)器人和自動(dòng)化設(shè)備的控制。

3. **LED 照明**: K1195-VB 在 LED 驅(qū)動(dòng)電路中表現(xiàn)出色,能夠提供穩(wěn)定的電流控制,確保 LED 燈具的高效能和長(zhǎng)壽命,適合商業(yè)和住宅照明應(yīng)用。

4. **逆變器**: 該 MOSFET 適用于逆變器設(shè)計(jì)中,能夠高效地將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,廣泛應(yīng)用于可再生能源系統(tǒng),如太陽能逆變器和風(fēng)能發(fā)電系統(tǒng)。

5. **高頻開關(guān)電路**: K1195-VB 的低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性使其適合高頻開關(guān)應(yīng)用,廣泛用于通信設(shè)備和數(shù)據(jù)中心電源管理,確保系統(tǒng)的高效運(yùn)作和響應(yīng)速度。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    130瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    114瀏覽量