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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K1282-Z-E2-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K1282-Z-E2-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介:**

K1282-Z-E2-VB 是一款高效的 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為中低壓應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件的最大漏源電壓 (VDS) 為 60V,使其非常適合用于各類電源管理和開(kāi)關(guān)電路。最大柵源電壓 (VGS) 為 ±20V,能夠滿足多種驅(qū)動(dòng)需求。其閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,確保在低電壓下快速導(dǎo)通,優(yōu)化了系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí)間。K1282-Z-E2-VB 的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS 為 10V 時(shí)為 73mΩ,在 4.5V 時(shí)為 85mΩ,具有良好的導(dǎo)電性能和較低的導(dǎo)通損耗,適合高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。采用 Trench 技術(shù),該 MOSFET 在高溫和高頻條件下具有卓越的性能和穩(wěn)定性。

**二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**

- **封裝類型**:TO252  
- **配置**:?jiǎn)?N 通道  
- **漏源電壓 (VDS)**:60V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 85mΩ @ VGS = 4.5V  
 - 73mΩ @ VGS = 10V  
- **漏極電流 (ID)**:18A  
- **技術(shù)**:Trench  

**三、適用領(lǐng)域和模塊舉例:**

1. **電源轉(zhuǎn)換器**:K1282-Z-E2-VB 可廣泛用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和開(kāi)關(guān)電源,能夠有效調(diào)節(jié)輸出電壓,確保高效能的電源管理,適合于電子設(shè)備、計(jì)算機(jī)電源等應(yīng)用。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:該 MOSFET 適合用于電機(jī)控制電路,能夠提供高效、穩(wěn)定的電流,適用于電動(dòng)工具、家用電器及工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備,確保電機(jī)在各種負(fù)載條件下的平穩(wěn)運(yùn)行。

3. **LED 照明**:K1282-Z-E2-VB 可作為 LED 驅(qū)動(dòng)電路中的開(kāi)關(guān)元件,具有低導(dǎo)通損耗,適合于各種照明應(yīng)用,如室內(nèi)照明和景觀照明,能夠提升 LED 的亮度與效率。

4. **汽車電子**:在汽車電子領(lǐng)域,該 MOSFET 可用于電池管理系統(tǒng)和各種電源控制模塊,適合于電動(dòng)汽車、混合動(dòng)力車及其他汽車電子產(chǎn)品,提供高效、可靠的電源供應(yīng)。

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