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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K12P60W-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K12P60W-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 370mΩ@VGS=10V
  • ID 11A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K12P60W-VB 產(chǎn)品簡介

K12P60W-VB是一款高壓單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為高電壓應(yīng)用而設(shè)計,具有出色的開關(guān)特性和可靠性。其最大漏源極電壓(VDS)為650V,適合在高壓環(huán)境中使用。該器件的導通電阻(RDS(ON)為370mΩ @ VGS=10V)和最大漏極電流(ID)為11A,使其能夠有效處理高功率負載。閾值電壓(Vth)為3.5V,確保在較低的柵源電壓下即可導通,提供了良好的控制特性。基于SJ_Multi-EPI技術(shù),K12P60W-VB在高溫和高壓條件下表現(xiàn)穩(wěn)定,廣泛應(yīng)用于電源管理和電動機驅(qū)動等領(lǐng)域。

### 二、K12P60W-VB 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)             | 數(shù)值                   |
| ---------------- | ---------------------- |
| **封裝類型**     | TO252                  |
| **配置**         | 單N溝道                |
| **漏源極電壓**   | 650V                   |
| **柵源極電壓**   | ±30V                   |
| **閾值電壓**     | 3.5V                   |
| **導通電阻**     | 370mΩ @ VGS=10V       |
| **漏極電流**     | 11A                    |
| **技術(shù)類型**     | SJ_Multi-EPI          |

### 三、適用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)(AC/DC、DC/DC轉(zhuǎn)換器)**  
  K12P60W-VB適用于高壓電源轉(zhuǎn)換器,在AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器中能夠高效處理輸入電源,保證穩(wěn)定輸出,廣泛應(yīng)用于電源適配器、工業(yè)電源等。

2. **電機驅(qū)動控制**  
  該MOSFET非常適合電動機驅(qū)動電路,尤其是高壓電機控制,如變頻驅(qū)動(VFD)和伺服驅(qū)動,能夠提供高效的開關(guān)性能和可靠性,適用于自動化設(shè)備和家用電器。

3. **不間斷電源(UPS)**  
  K12P60W-VB可作為UPS系統(tǒng)中的關(guān)鍵開關(guān)元件,確保電源在停電情況下仍能穩(wěn)定供電,廣泛應(yīng)用于計算機系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中心及通訊設(shè)備。

4. **高壓照明系統(tǒng)**  
  由于其高耐壓特性,該MOSFET可用于高壓照明控制,如街道照明和商業(yè)照明設(shè)備,確保照明系統(tǒng)的可靠性和高效性。

5. **電源管理IC**  
  在電源管理集成電路(PMIC)中,K12P60W-VB可以作為開關(guān)元件,有效提高系統(tǒng)能效,廣泛應(yīng)用于手機充電器、平板電腦和其他消費電子產(chǎn)品中。

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