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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K1469-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K1469-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K1469-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

K1469-VB是一款高性能N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為低壓高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏極-源極電壓為30V,能夠承載高達(dá)70A的漏極電流,適合于多種電源管理和開(kāi)關(guān)電路。由于其超低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V,9mΩ@VGS=4.5V),K1469-VB在高頻和高效率應(yīng)用中表現(xiàn)出色,有助于減少能量損耗,提升系統(tǒng)的整體性能。

### K1469-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝**:TO252
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**:30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 7mΩ (在VGS=10V時(shí))
 - 9mΩ (在VGS=4.5V時(shí))
- **最大漏極電流 (ID)**:70A
- **技術(shù)類型**:Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **開(kāi)關(guān)電源(SMPS)**:
  K1469-VB非常適合用于開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì),能夠在低壓條件下高效地轉(zhuǎn)換電能,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子產(chǎn)品和工業(yè)電源。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  在電機(jī)控制應(yīng)用中,該MOSFET能夠提供高電流支持,確保電機(jī)在負(fù)載條件下的穩(wěn)定運(yùn)行,適用于電動(dòng)工具和家電產(chǎn)品。

3. **LED驅(qū)動(dòng)器**:
  K1469-VB可用于LED照明系統(tǒng)中的驅(qū)動(dòng)電路,支持快速開(kāi)關(guān)操作,確保高亮度和低熱量輸出,提升LED的使用效率。

4. **電池管理系統(tǒng)**:
  此MOSFET在電池管理應(yīng)用中能夠有效控制充放電過(guò)程,確保電池在高負(fù)載條件下的安全和穩(wěn)定性,延長(zhǎng)電池的使用壽命。

通過(guò)以上應(yīng)用,K1469-VB展現(xiàn)了其在低壓高電流電力電子設(shè)備中的重要性,為多個(gè)行業(yè)提供了高效、可靠的解決方案。

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