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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K1625S-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K1625S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 700mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K1625S-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
K1625S-VB 是一款高壓 N-Channel MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓 (VDS) 達(dá)到 650V,適合用于電源轉(zhuǎn)換和工業(yè)控制等領(lǐng)域。該器件的閾值電壓 (Vth) 為 3.5V,使其在相對(duì)較低的驅(qū)動(dòng)電壓下實(shí)現(xiàn)良好的導(dǎo)通性能。在 VGS 為 10V 時(shí),其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 700mΩ,能夠在 7A 的最大漏電流 (ID) 下保持較低的功耗,展現(xiàn)出優(yōu)越的熱性能和高效能的特性。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝**: TO252
- **配置**: Single-N-Channel
- **VDS**: 650V
- **VGS**: ±30V
- **Vth**: 3.5V
- **RDS(ON)**: 700mΩ @ VGS = 10V
- **ID**: 7A
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
K1625S-VB 在多個(gè)領(lǐng)域中有廣泛應(yīng)用,尤其是在電源管理和工業(yè)設(shè)備中。其高漏源電壓特性使其非常適合用于開(kāi)關(guān)電源(SMPS),特別是在高壓應(yīng)用中,能夠有效地控制電能轉(zhuǎn)換。該器件還適用于逆變器、UPS(不間斷電源系統(tǒng))以及其他電源轉(zhuǎn)換裝置,能夠提高能效并減少功耗。

在工業(yè)控制領(lǐng)域,K1625S-VB 可以用作高壓開(kāi)關(guān),適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和各種自動(dòng)化控制系統(tǒng),保證了高效的電力管理和負(fù)載控制。此外,該 MOSFET 也適用于汽車電子,如電動(dòng)汽車的電池管理系統(tǒng)和電源適配器,為其提供安全可靠的電源解決方案。在家電產(chǎn)品中,K1625S-VB 可用于高壓電源適配器,以提高整體的能效和穩(wěn)定性。

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