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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K1625-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K1625-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 700mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K1625-VB 產(chǎn)品簡介

K1625-VB是一款高效能的單N通道MOSFET,采用TO252封裝,設(shè)計用于高壓應(yīng)用。該器件的最大漏源電壓(VDS)為650V,能夠在高電壓環(huán)境中可靠工作。其最大柵源電壓(VGS)為±30V,閾值電壓(Vth)為3.5V,適合于多種電源和開關(guān)電路的需求。K1625-VB在VGS為10V時的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為700mΩ,這有助于減少導(dǎo)通損耗,提高整體系統(tǒng)的能效。最大漏電流(ID)為7A,適合于高電流驅(qū)動的應(yīng)用。采用SJ_Multi-EPI技術(shù),該MOSFET在高溫和高電壓條件下展現(xiàn)出極高的可靠性,是現(xiàn)代電源設(shè)計的理想選擇。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: K1625-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N通道
- **最大漏源電壓(VDS)**: 650V
- **最大柵源電壓(VGS)**: ±30V
- **閾值電壓(Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 
 - 700mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流(ID)**: 7A
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

K1625-VB在多個領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用潛力,包括:

1. **電源轉(zhuǎn)換器**: K1625-VB適合用于高效的DC-DC轉(zhuǎn)換器,能夠處理高達(dá)650V的電壓,支持高效能的電源管理系統(tǒng),提升能源利用率。

2. **工業(yè)電氣設(shè)備**: 在工業(yè)應(yīng)用中,K1625-VB可作為電源開關(guān)或調(diào)節(jié)器,在高電流和高電壓的工作環(huán)境中保證穩(wěn)定運(yùn)行,適合用于電機(jī)驅(qū)動和電力控制模塊。

3. **可再生能源系統(tǒng)**: 該器件在太陽能逆變器和風(fēng)能發(fā)電設(shè)備中表現(xiàn)出色,能夠有效管理高電壓直流電源,確保高效能的能源轉(zhuǎn)換和使用。

4. **電動交通工具充電設(shè)備**: K1625-VB可用于電動汽車的充電系統(tǒng),作為開關(guān)控制器在高電壓和高電流條件下提供安全可靠的性能,確保充電過程的高效性和安全性。

通過上述參數(shù)和應(yīng)用示例,K1625-VB展示了其在高壓和高效能電源管理中的優(yōu)越特性,是現(xiàn)代電源和開關(guān)電路設(shè)計中不可或缺的關(guān)鍵組件。

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