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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K1748-Z-E1-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K1748-Z-E1-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K1748-Z-E1-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
K1748-Z-E1-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高效率和低功耗應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有最大漏源電壓 (VDS) 為 60V,非常適合用于中等電壓的電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。其閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,使其在較低的門(mén)電壓下即可開(kāi)啟,從而提升了系統(tǒng)的響應(yīng)速度。在 VGS 為 10V 時(shí),導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 73mΩ,能夠承載高達(dá) 18A 的漏電流 (ID),從而在高負(fù)載條件下實(shí)現(xiàn)出色的性能。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝**: TO252
- **配置**: Single-N-Channel
- **VDS**: 60V
- **VGS**: ±20V
- **Vth**: 1.7V
- **RDS(ON)**: 73mΩ @ VGS = 10V
- **RDS(ON)**: 85mΩ @ VGS = 4.5V
- **ID**: 18A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
K1748-Z-E1-VB 在多個(gè)領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用潛力,尤其是在消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備中。在電源管理方面,該 MOSFET 非常適合用于開(kāi)關(guān)電源(SMPS)、直流-直流轉(zhuǎn)換器以及電源適配器。這些應(yīng)用要求高效的能量轉(zhuǎn)換和低的功耗,以提高整體系統(tǒng)效率。

在家用電器如電機(jī)控制、燈光調(diào)節(jié)和電池管理系統(tǒng)中,K1748-Z-E1-VB 的低導(dǎo)通電阻和高漏電流承載能力使其能夠?qū)崿F(xiàn)高效的電力控制。其較低的閾值電壓也使得其能夠在較低的控制電壓下工作,從而簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)并提高響應(yīng)速度。

此外,該 MOSFET 還可應(yīng)用于汽車電子系統(tǒng),如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向(EPS)、電源分配和LED驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域,提供可靠的性能和高效的電源管理。憑借其優(yōu)秀的電氣特性,K1748-Z-E1-VB 是現(xiàn)代高性能電子設(shè)備中理想的選擇。

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