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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K1838STL-E-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K1838STL-E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 250V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 640mΩ@VGS=10V
  • ID 4.5A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K1838STL-E-VB 產(chǎn)品簡介

K1838STL-E-VB 是一款高性能單N通道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為中等電壓和電流應(yīng)用而設(shè)計。該器件的最大漏源電壓(VDS)為 250V,使其在多種電源管理和開關(guān)應(yīng)用中具有良好的適用性。柵源電壓(VGS)的額定值為 ±20V,為器件提供了良好的驅(qū)動范圍。其閾值電壓(Vth)為 3V,確保在適當(dāng)?shù)臇烹妷合驴焖賹?dǎo)通。K1838STL-E-VB 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 10V 的柵電壓下為 640mΩ,能有效降低導(dǎo)通損耗,從而提升整體能效。最大漏電流(ID)為 4.5A,適合各種應(yīng)用場合。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO252  
- **配置**:單N通道  
- **最大漏源電壓 (VDS)**:250V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 640mΩ(@VGS=10V)  
- **最大漏電流 (ID)**:4.5A  
- **技術(shù)**:Trench  

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

K1838STL-E-VB 在多個領(lǐng)域中表現(xiàn)出色,特別是在開關(guān)電源(SMPS)和直流-直流轉(zhuǎn)換器(DC-DC 轉(zhuǎn)換器)中。這款 MOSFET 由于其高效率和較低的導(dǎo)通電阻,能夠有效降低電源損耗,提升整體能效,因此非常適合用于高頻和高效率的電源設(shè)計。

此外,該器件也廣泛應(yīng)用于電機(jī)控制領(lǐng)域,如無刷直流電機(jī)(BLDC)驅(qū)動器中。其可靠的性能使其能夠處理電機(jī)啟動和調(diào)速時的瞬態(tài)電流,確保系統(tǒng)穩(wěn)定性。

在家用電器和消費(fèi)電子產(chǎn)品中,K1838STL-E-VB 可用于各種開關(guān)應(yīng)用,如 LED 驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等,提供可靠的電流開關(guān)解決方案,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對高效能的需求。

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