### K1920-VB 產(chǎn)品簡介
K1920-VB是一款高性能單N溝道MOSFET，采用TO252封裝，專為中等電壓應用而設計。其最大漏極-源極電壓（VDS）為250V，適合需要中高電壓和高電流處理的應用場合。該MOSFET的導通電阻（RDS(ON)）在VGS=10V時為176mΩ，能夠有效降低開關損耗，從而提高系統(tǒng)的能效。最大漏極電流（ID）為17A，使其在各種應用中表現(xiàn)出良好的性能和穩(wěn)定性，特別適合高效率電源管理和電機驅動系統(tǒng)。
### K1920-VB 詳細參數(shù)說明
- **封裝**：TO252
- **配置**：單N溝道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**：250V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**：±20V
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：176mΩ（VGS=10V時）
- **最大漏極電流 (ID)**：17A
- **技術類型**：Trench（溝槽技術）
### 應用領域和模塊示例
1. **開關電源（SMPS）**：
K1920-VB非常適合在開關電源模塊中使用，尤其是用于AC-DC轉換器和DC-DC轉換器。其低導通電阻和高電流處理能力能夠有效提高電源效率，減少能量損耗，適合高功率電源解決方案。
2. **電機控制**：
該MOSFET在電機驅動應用中表現(xiàn)出色，可以用于工業(yè)電機控制系統(tǒng)。其能夠承受的電流和電壓特性使其在控制電機啟動和調速時保持高效率，有助于提升電機的運行性能。
3. **LED驅動器**：
K1920-VB同樣適用于LED驅動電路，特別是在需要高電流驅動的高功率LED應用中。其良好的導通性能可以確保LED在運行過程中獲得穩(wěn)定的電流，增強亮度和延長使用壽命。
4. **高頻開關應用**：
由于其優(yōu)異的開關性能，K1920-VB可以用于高頻開關應用，如無線充電器和各種RF（射頻）設備。在這些應用中，MOSFET的快速開關能力能夠減少開關損耗，提高整體能效。
綜上所述，K1920-VB以其高電流和高壓能力，適用于多種中等電壓應用領域，包括電源管理、電機控制和LED驅動等。其卓越的性能和高效能為現(xiàn)代電子設計提供了可靠的解決方案。