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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K1931-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K1931-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K1931-VB 產(chǎn)品簡介

K1931-VB 是一款高效能單N通道MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高電壓和中等功率應(yīng)用而設(shè)計。其最大漏源電壓(VDS)為 200V,柵源電壓(VGS)額定值為 ±20V,使其能夠在各種嚴(yán)苛的電氣環(huán)境中運(yùn)行。閾值電壓(Vth)為 3V,確保在適當(dāng)?shù)臇烹妷合驴焖匍_啟。該器件的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 10V 柵電壓下為 245mΩ,提供了優(yōu)越的導(dǎo)通性能,支持高達(dá) 10A 的漏極電流(ID)。K1931-VB 采用了Trench技術(shù),優(yōu)化了導(dǎo)通特性和開關(guān)性能,非常適合在要求高效能和高可靠性的應(yīng)用中使用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO252  
- **配置**:單N通道  
- **最大漏源電壓 (VDS)**:200V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:245mΩ(@VGS=10V)  
- **最大漏電流 (ID)**:10A  
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

K1931-VB MOSFET 在多個中高壓電力轉(zhuǎn)換及管理應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,以下是其典型的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例:

1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:由于其高效率和良好的導(dǎo)通特性,K1931-VB 非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器中,幫助實現(xiàn)高效能的電源轉(zhuǎn)換,廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備和工業(yè)控制系統(tǒng)中。

2. **電源管理系統(tǒng)**:該MOSFET可以在電源管理應(yīng)用中擔(dān)當(dāng)開關(guān)元件,提升整體系統(tǒng)的能效,尤其適合用于電池管理系統(tǒng)(BMS)和電源適配器中,提供可靠的電源調(diào)節(jié)和管理功能。

3. **LED驅(qū)動器**:K1931-VB 也可用于LED驅(qū)動電路,幫助控制LED的電流,實現(xiàn)高效的照明解決方案。其穩(wěn)定性和低導(dǎo)通損耗使其在高亮度LED應(yīng)用中表現(xiàn)良好。

4. **家用電器和消費(fèi)電子**:該器件廣泛應(yīng)用于家用電器和消費(fèi)電子產(chǎn)品的電源模塊中,如洗衣機(jī)、空調(diào)等。它可以在高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作,確保設(shè)備的高效運(yùn)行和延長使用壽命。

綜上所述,K1931-VB 以其卓越的電氣性能和適應(yīng)能力,在多個應(yīng)用領(lǐng)域提供了優(yōu)質(zhì)的解決方案,滿足了現(xiàn)代電子設(shè)備對于高效能和高可靠性的要求。

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